[发明专利]R-T-B系稀土磁体粉末、R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法和粘结磁体

说明书

技术领域

本发明涉及R-T-B系稀土磁体粉末。 

背景技术

R-T-B系稀土磁体粉末具有优异的磁特性，作为机动车等的各种电动机用磁体在工业上被广泛利用。但是，由氢化-歧化-脱氢-再结合处理（hydrogenation-disproportionation-desorption-recombination process，HDDR处理）制造的磁体粉末，因为由氢化相分解所形成的分解组织不均匀，所以退磁曲线的矩形性差，难以兼顾优异的剩余磁通密度和矫顽力。 

在日本特开平6-128610号公报和日本特开2003-301203号公报中，记载了通过HDDR处理制造R-T-B系稀土磁体粉末的方法，其中，在升温后进行氢导入，但因为氢化-歧化工序（HD工序）的温度控制不充分，所以矫顽力变低，难以得到兼顾优异的剩余磁通密度和矫顽力的磁体粉末。 

发明内容

发明所要解决的课题 

由现有方法制造的R-T-B系稀土磁体粉末，因为以氢化相分解所形成的分解组织不均匀，所以退磁曲线的矩形性差，难以兼顾优异的剩余磁通密度和矫顽力，特别是有结晶取向容易混乱的比表面积大的小颗粒的剩余磁通密度显著变低的问题。 

用于解决课题的方法 

本发明的R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法的目的在于控制HDDR处理中的HD工序的处理条件，使分解组织均匀，由此抑制小颗粒的剩余磁通密度的下降，得到具有高矩形性且兼顾优异的剩余磁 通密度和矫顽力的磁体粉末。 

即，本发明为R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法，其通过HDDR处理得到R-T-B系稀土磁体粉末，该制造方法的特征在于，原料合金包含R（R：包括Y的一种以上的稀土元素）、T（T：Fe、或Fe和Co）、B（B：硼），该原料合金的组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10.0at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛将该原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以上述温度范围保持30分钟以上、150分钟以下的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛保持60分钟以上、240分钟以下的第二阶段HD工序（本发明1）。 

另外，本发明是在本发明1中记载的R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法，其中，原料合金包含Ga和Zr，该原料合金的组成是Ga量为0.1at.％以上、1.0at.％以下，Zr量为0.05at.％以上、0.15at.％以下（本发明2）。 

另外，本发明为R-T-B系稀土磁体粉末，其特征在于，包含R（R：包括Y的一种以上的稀土元素）、T（T：Fe、或Fe和Co）、B（B：硼），组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10.0at.％以下，该R-T-B系稀土磁体粉末中，退磁曲线的矩形性（H_k/H_cj）为0.5以上，由孔径（目開き）106μm的筛得到的筛上的粉末的剩余磁通密度（B_r106）和由孔径38μm的筛得到的筛下的粉末的剩余磁通密度（B_r38）之差ΔB_r为0.02T以下（本发明3）。 

另外，本发明是使用本发明3中记载的R-T-B系稀土磁体粉末的粘结磁体（本发明4）。 

发明的效果 

根据本发明，通过控制HDDR处理中的HD工序的处理条件，能够得到具有优异磁特性的R-T-B系稀土磁体粉末。 

附图说明

图1是HDDR处理工序的温度图形。 

具体实施方式

详细说明本发明的R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法。本发明的R-T-B系稀土磁体粉末的制造方法是对原料合金粉末进行HDDR处理、冷却所得到的粉末、得到R-T-B系稀土磁体粉末的方法。 

首先，说明本发明的R-T-B系稀土磁体粉末的原料合金。 

本发明的R-T-B系稀土磁体粉末的原料合金是包含R（R：包括Y的一种以上的稀土元素）、T（T：Fe、或Fe和Co）、B（B：硼）的合金。