[发明专利]用于半导体封装的多功能膜及其制造方法有效
申请号: | 201310108693.1 | 申请日: | 2013-03-29 |
公开(公告)号: | CN103219296A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 陈琦;刘江涛 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘灿强 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 半导体 封装 多功能 及其 制造 方法 | ||
1.一种多功能膜,所述多功能膜包括:
PO膜;
PSA,形成在PO膜上;
第一DAF,形成在PSA上;
第二DAF,形成在第一DAF上,
其中,第二DAF的弹性模量大于第一DAF的弹性模量。
2.如权利要求1所述的多功能膜,其中,第一DAF和第二DAF之间设置有粘合层。
3.如权利要求1所述的多功能膜,其中,第二DAF的弹性模量为1Gpa至9999Gpa,第一DAF的弹性模量为1Mpa至4999Mpa。
4.如权利要求1所述的多功能膜,其中,在芯片切割过程中,晶圆设置在第二DAF上。
5.如权利要求1所述的多功能膜,其中,第一DAF包括10%-30%的丙烯酸共聚物、20%-30%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和30%-40%的无定形硅,第二DAF包括10%-20%的丙烯酸共聚物、10%-20%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和50%-60%的无定形硅。
6.一种多功能膜的制造方法,该方法包括下述步骤:
设置PO膜;
在PO膜上设置PSA;
在PSA上设置第一DAF;
在第一DAF上设置第二DAF,
其中,第二DAF的弹性模量大于第一DAF的弹性模量。
7.如权利要求6所述的方法,其中,在形成第一DAF之后且在形成第二DAF之前,在第一DAF上形成粘合层。
8.如权利要求6所述的方法,其中,第二DAF的弹性模量为1Gpa至9999Gpa,第一DAF的弹性模量为1Mpa至4999Mpa。
9.如权利要求6所述的方法,其中,在芯片切割过程中,晶圆设置在第二DAF上。
10.如权利要求6所述的方法,其中,第一DAF包括10%-30%的丙烯酸共聚物、20%-30%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和30%-40%的无定形硅,第二DAF包括10%-20%的丙烯酸共聚物、10%-20%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和50%-60%的无定形硅。
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