[发明专利]用于半导体封装的多功能膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310108693.1 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN103219296A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 陈琦;刘江涛 申请(专利权)人: 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L21/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 韩芳;刘灿强
地址: 215021 江苏省苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 用于 半导体 封装 多功能 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多功能膜,所述多功能膜包括:

PO膜;

PSA,形成在PO膜上;

第一DAF,形成在PSA上;

第二DAF,形成在第一DAF上,

其中,第二DAF的弹性模量大于第一DAF的弹性模量。

2.如权利要求1所述的多功能膜,其中,第一DAF和第二DAF之间设置有粘合层。

3.如权利要求1所述的多功能膜,其中,第二DAF的弹性模量为1Gpa至9999Gpa,第一DAF的弹性模量为1Mpa至4999Mpa。

4.如权利要求1所述的多功能膜,其中,在芯片切割过程中,晶圆设置在第二DAF上。

5.如权利要求1所述的多功能膜,其中,第一DAF包括10%-30%的丙烯酸共聚物、20%-30%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和30%-40%的无定形硅,第二DAF包括10%-20%的丙烯酸共聚物、10%-20%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和50%-60%的无定形硅。

6.一种多功能膜的制造方法,该方法包括下述步骤:

设置PO膜;

在PO膜上设置PSA;

在PSA上设置第一DAF;

在第一DAF上设置第二DAF,

其中,第二DAF的弹性模量大于第一DAF的弹性模量。

7.如权利要求6所述的方法,其中,在形成第一DAF之后且在形成第二DAF之前,在第一DAF上形成粘合层。

8.如权利要求6所述的方法,其中,第二DAF的弹性模量为1Gpa至9999Gpa,第一DAF的弹性模量为1Mpa至4999Mpa。

9.如权利要求6所述的方法,其中,在芯片切割过程中,晶圆设置在第二DAF上。

10.如权利要求6所述的方法,其中,第一DAF包括10%-30%的丙烯酸共聚物、20%-30%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和30%-40%的无定形硅,第二DAF包括10%-20%的丙烯酸共聚物、10%-20%的环氧树脂、10%-20%的硬化剂和50%-60%的无定形硅。

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