[发明专利]MOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成多个栅极结构；

在所述栅极结构的两侧形成第一侧墙；

以第一侧墙作为掩膜，对所述半导体衬底进行离子注入，形成源漏离子注入区；

去除第一侧墙；

在所述半导体衬底上形成第二侧墙层，且所述第二侧墙层覆盖栅极结构，所述第二侧墙层与待沉积的层间介质层材质不同；

利用各向同性刻蚀法刻蚀所述第二侧墙层，在栅极结构的两侧形成第二侧墙，所述第二侧墙为直角三角形，所述第二侧墙的底部宽度大于所述第一侧墙的底部宽度；

在所述半导体衬底、第二侧墙和栅极结构上沉积层间介质层。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述各向同性刻蚀的工艺中，所采用的刻蚀剂为CHF₃、CH₂F₂、CH₃F和O₂的混合气体，其中CHF₃的流量为10-500sccm，CH₂F₂的流量为10-500sccm，CH₃F的流量为10-500sccm，O₂的流量为10-500sccm，刻蚀时间为10secs-600secs。

3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述各向同性刻蚀的工艺中，设置刻蚀腔室内压强为10-100mTorr，源功率为100-1000W，偏置功率为100-500W。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙材料层的材质为氮化硅。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述直角三角形的一条直角边与半导体衬底上表面重合，另一条直角边与栅极结构侧边重合。

6.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙底角范围为30°～60°。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙的高度低于所述栅极结构。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述第二侧墙的高度低于所述栅极结构的一半。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成第二侧墙后，沉积层间介质层之前，还包括步骤：在所述半导体衬底和栅极结构的表面形成应力层。

10.如权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在形成层间介质层之后，还包括：在所述源漏离子注入区上的层间介质层内形成接触孔，所述第二侧墙与半导体衬底重合的直角边与接触孔的边缘非接触。