[发明专利]堆迭式封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种堆迭式封装结构，其特征在于，包括：

一第一晶粒；

一第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面与一边缘表面，该第一表面是相对于该第二表面，该边缘表面介于该第一表面与该第二表面之间，其中该第一晶粒的该第二表面面对该第二晶粒的该第一表面；

一第一线路层，包含多个线路，位于该第一晶粒的该第一表面；

一第二线路层，包含多个线路，位于该第一晶粒的该第二表面，其中该第一线路层的该些线路中至少一个经由该第一晶粒的该边缘表面与该第二线路层的该些线路中至少一个电性连结；

一第三线路层，包含多个线路，位于该第二晶粒的该第一表面，其中所述第三线路层面对所述第二线路层；以及

数个导电连接元件，包含导电部及/或焊料部，该些导电连接元件物理连接并电性连接于该第一晶粒上的该第二线路层与该第二晶粒上的该第三线路层。

2.如权利要求1所述的堆迭式封装结构，其特征在于，该导电部的材质是铜或金。

3.如权利要求1所述的堆迭式封装结构，其特征在于，该焊料部包括：

一第一焊料部分，配置在该第一晶粒上的该第一线路层上；

一第二焊料部分，配置在该第一晶粒上的该第二线路层及该第二晶粒上的该第三线路层之间，并电性连结及物理连结该第二线路层及该第三线路层；以及

一第三焊料部分，配置在该第一晶粒、该第二晶粒或该二晶粒的该边缘表面上。

4.如权利要求3所述的堆迭式封装结构，其特征在于，该第一线路层上更包括：

一金属柱体，其中该金属柱体的表面包含第一焊料部分。

5.一种堆迭式封装结构，其特征在于，包括：

一第一晶粒；

一第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面与一边缘表面，该第一表面是相对于该第二表面，该边缘表面介于该第一表面与该第二表面之间，其中该第一晶粒的该第二表面面对该第二晶粒的该第一表面；

一第一线路层，包含多个线路，位于该第一晶粒的该第一表面；

一第二线路层，包含多个线路，位于该第一晶粒的该第二表面，其中该第一线路层的该些线路中至少一个经由该第一晶粒的该边缘表面与该第二线路层的该些线路中至少一个电性连结；

一第三线路层，包含多个线路，位于该第二晶粒的该第一表面；

一第四线路层，包含多个线路，位于该第二晶粒的该第二表面，其中该第三线路层的该些线路中至少一个经由该第二晶粒的该边缘表面与该第四线路层的该些线路至少一个电性连结；以及

数个导电连接元件，包含导电部及/或焊料部，该些导电连接元件物理连接并电性连接于该第一晶粒上的该第二线路层与该第二晶粒上的该第三线路层。

6.一种堆迭式封装结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供第一晶粒及第二晶粒，其中该第一晶粒与该第二晶粒各具有一第一表面、一第二表面与一边缘表面，该第一表面是相对于该第二表面，该边缘表面介于该第一表面与该第二表面之间；

形成数个导电连接元件于该第一晶粒的该第一表面、该第二表面与该边缘表面上，其中该些导电连接元件包括焊料部；以及

使该些焊料部物理连接并电性连接于该第二晶粒的该第一表面上的元件。

7.如权利要求6所述的堆迭式封装结构的制造方法，其特征在于，更包括：

在一晶圆上形成一第一线路层；

切割该晶圆以形成数个该第一晶粒；

在该第一晶粒的该第二表面形成一第二线路层，其中该第一线路层中至少一个线路经由该第一晶粒的该边缘表面与该第二线路层的线路电性连结。

8.如权利要求6所述的堆迭式封装结构的制造方法，其特征在于，形成该些焊料部于该第一晶粒的该第一表面、该第二表面与该边缘表面上的方法包括：

将数个该第一晶粒以一空隙互相隔开；

形成一光阻于该些第一晶粒上，其中该光阻具有一开口露出该些第一晶粒之间的该空隙；

以焊料材料填充该光阻的该开口所露出的该空隙；

移除该光阻；以及

切割该焊料材料以形成该些焊料部。