[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有由侧壁部分地限定的凹陷，所述基板具有顶表面；

器件隔离层，提供在所述凹陷中，所述器件隔离层具有比所述基板的顶表面低的顶表面；

存储器元件，设置在所述基板上；

一个或多个第一接触，电连接到所述存储器元件；以及

隔离图案，设置在所述器件隔离层上并布置在相邻的所述第一接触之间，所述隔离图案与相邻的所述第一接触直接物理接触，

其中所述第一接触中的至少一个与所述基板的顶表面接触并覆盖所述凹陷的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括层间绝缘层，其中所述第一接触中的至少一个的基本整个侧表面与相对于所述层间绝缘层具有蚀刻选择性的绝缘层接触。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述绝缘层包括氮化物。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一接触中的至少一个包括接触焊盘，并且其中所述隔离图案的顶表面基本上与所述接触焊盘的顶表面共平面。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述隔离图案的底表面低于所述基板的顶表面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，还包括，

字线覆盖层图案，邻近所述第一接触中的至少一个；和

字线，在所述字线覆盖层图案下面沿第一方向延伸。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述字线提供在所述基板中。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一接触中的至少一个包括接触焊盘，并且其中所述字线覆盖层图案的顶表面基本上与所述接触焊盘的顶表面共平面。

9.如权利要求6所述的半导体器件，其中所述隔离图案具有沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的条形。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述隔离图案的底表面高于所述字线覆盖层图案的底表面。

11.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述隔离图案将所述字线覆盖层图案的顶表面分成多个部分。

12.如权利要求6所述的半导体器件，还包括，

第二接触，提供在所述第一接触的一侧；和

间隔物，插设在所述第一接触与所述第二接触之间。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其中所述第二接触的底表面低于所述器件隔离层的顶表面。

14.如权利要求12所述的半导体器件，还包括，

导线，在所述第二接触上沿所述第一方向延伸，

其中所述导线具有与所述隔离图案基本上相同的宽度并在平面图中与所述隔离图案交叠。

15.如权利要求12所述的半导体器件，还包括，

第一掺杂区，提供在所述基板中并连接到所述第一接触；和

第二掺杂区，提供在所述基板中并连接到所述第二接触，

其中所述第二掺杂区具有比所述第一掺杂区大的深度。

16.一种半导体器件，包括：

基板，具有单元阵列区、单元边缘区和周边电路区，所述基板具有由侧壁部分地限定的凹陷；

器件隔离层，提供在所述凹陷中，所述器件隔离层具有比所述基板的顶表面低的顶表面；

多条字线，提供在所述基板中，栅绝缘层插设在所述字线与基板之间，所述字线沿第一方向延伸；

字线覆盖层图案，分别设置在所述字线上，所述字线覆盖层图案从所述基板的顶表面向上突出；

存储节点焊盘，设置在所述字线覆盖层图案之间以与所述基板的顶表面接触并形成得覆盖所述凹陷的侧壁；

隔离图案，设置在相邻的所述存储节点焊盘之间以及在所述字线覆盖层图案之间；以及

虚设位线节点接触和虚设隔离图案，在所述单元边缘区中彼此邻近设置，

其中所述隔离图案与相邻的所述存储节点焊盘直接物理接触。

17.如权利要求16所述的半导体器件，还包括，

位线节点接触，提供在所述单元阵列区中，所述位线节点接触连接到所述字线之间的所述基板并与所述隔离图案间隔开；以及

多条位线，在所述位线节点接触上彼此基本平行地提供，

其中一个虚设隔离图案与所述位线中的至少两条相邻的位线共同地交叠。