[发明专利]样品支持器

说明书

技术领域

本发明涉及一种样品支持器(sample holder)，搭载处理对象的基板且储存在等离子处理装置中。

背景技术

在利用等离子化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，CVD)法的成膜处理步骤中，搭载着成膜处理对象的基板的样品支持器储存在等离子CVD成膜装置中。而且，通过借助放电使原料气体等离子化，而将所需的薄膜形成在基板表面。此时，担心因搭载基板的样品支持器的角(corner)部的放电集中而产生异常放电。

为防止因该异常放电而损伤等离子CVD成膜装置的电极等以致处理停止，而提出了防止在样品支持器的角部的异常放电的方法(例如，参照专利文献1)。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2002-373888号公报

因样品支持器的角部的放电集中，而产生如下问题：形成在基板的靠近样品支持器的角部的区域的薄膜的膜厚变厚，基板上的膜厚分布的宽度变大。其结果是，产品的特性劣化，制造良率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种样品支持器，可改善在利用等离子CVD法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明提供一种样品支持器：所述样品支持器被储存在等离子处理装置中，且所述样品支持器被安装在与呈梳齿状配置的电极对向的位置；所述样品支持器具有搭载面，所述搭载面沿着定义搭载处理对象的基板的搭载区域的垂直方向延伸，且搭载面的外缘的角部被进行C倒角或R倒角。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

较佳的，前述的样品支持器，其中所述角部是：在从构成所述角部且邻接的两边的延长线的交点算起1mm～3mm的长度被进行C倒角。

较佳的，前述的样品支持器，其中所述角部是：以描绘半径为1mm～5mm的圆弧的方式被进行R倒角。

较佳的，前述的样品支持器，其中在所述搭载面定义着多个所述搭载区域。

较佳的，前述的样品支持器，其中所述样品支持器包含碳。

借由上述技术方案，本发明样品支持器至少具有下列优点及有益效果：根据本发明，可提供一种样品支持器，可改善在利用等离子CVD法的成膜处理步骤中，形成在基板上的薄膜的膜厚分布。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1表示本发明实施例的样品支持器的构成的立体示意图。

图2表示本发明实施例的样品支持器的其他构成的立体示意图。

图3是图1所示的样品支持器的侧视图。

图4是图2所示的样品支持器的侧视图。

图5表示本发明实施例的样品支持器具有多个搭载面的示意图。

图6用以说明利用了图5所示的样品支持器的等离子CVD成膜装置的成膜处理的示意图。

图7表示比较例的样品支持器的构成的示意图。

图8表示图7所示的样品支持器的成膜处理步骤后的状态的照片。

图9表示本发明实施例的样品支持器的成膜处理步骤后的状态的照片。

[符号的说明]

1：基板                         10：成膜装置

11、11A：样品支持器             12：阴极电极

13：气体供给装置                14：交流电源

15：排气装置                    20：腔室

100：原料气体                   101：固定板

110：搭载面                     111：搭载区域

A：角部                         t：长度

r：半径

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的一种样品支持器的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。