[发明专利]多栅极FET及其形成方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

氧化半导体鳍以在所述半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层，其中所述半导体鳍位于隔离区的顶面上方；

在所述氧化之后，实施倾斜注入以将杂质注入所述半导体鳍；以及

在所述倾斜注入的步骤之后，去除所述氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述半导体鳍的相对侧壁上形成栅极电介质；

在所述栅极电介质上方形成栅电极；以及

邻近所述栅极电介质和所述栅电极形成源极/漏极区。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述杂质的导电类型与所述源极/漏极区的导电类型相反。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，采用介于约20度和约45度之间的倾斜角度实施所述倾斜注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述倾斜注入期间，所述杂质的一部分穿透所述半导体鳍。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述倾斜注入期间，所述杂质的所述一部分穿透位于所述半导体鳍的相对侧壁上的所述氧化物层的一部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述隔离区包括：

具有倾斜顶面的第一部分，所述倾斜顶面更靠近所述半导体鳍的部分高于所述倾斜顶面更远离所述半导体鳍的部分，并且与所述第一部分齐平的掺杂半导体区具有所述杂质的第一杂质浓度，所述杂质的第一杂质浓度高于所述杂质在所述半导体鳍的中部中的第二杂质浓度；以及

比所述第一部分更远离所述半导体鳍的第二部分，所述第二部分的顶面连接到所述第一部分的倾斜顶面并且低于所述第一部分的倾斜顶面。

8.一种方法，包括：

氧化半导体鳍以在所述半导体鳍的相对侧壁上形成氧化物层，其中所述半导体鳍位于浅沟槽隔离(STI)区的顶面上方，半导体带位于所述半导体鳍的下方并连接到所述半导体鳍，并且所述半导体带与所述STI区齐平；

在所述氧化之后，实施倾斜注入以将杂质注入所述半导体鳍，所述杂质具有第一导电类型；

在所述倾斜注入的步骤之后，去除所述氧化物层；

形成包括位于所述半导体鳍的侧壁上的一部分的栅极电介质；

在所述栅极电介质上方形成栅电极；以及

邻近所述栅极电介质和所述栅电极形成源极/漏极区，其中所述源极/漏极区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

9.一种器件，包括：

半导体衬底；

半导体带，位于所述半导体衬底上方并且连接到所述半导体衬底，所述半导体带包括：

基本上是平的且处在第一平面中的第一侧壁；和

与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第二侧壁基本上是平的并且处在第二平面中；

浅沟槽隔离(STI)区，位于所述半导体带的相对侧上；以及

半导体鳍，位于所述半导体带上方并且连接到所述半导体带，所述半导体鳍包括：

基本上是平的第三侧壁，其中所述第三侧壁处在与所述第一平面基本平行但不重叠的第三平面中；和

基本上是平的并且与所述第三侧壁相对的第四侧壁，其中所述第四侧壁处在与所述第二平面基本平行但不重叠的第四平面中，并且所述第三侧壁和所述第四侧壁位于所述第一平面和所述第二平面之间的区域中。

10.根据权利要求9所述的器件，还包括：

栅极电介质，位于所述半导体鳍的第三侧壁和第四侧壁上；

栅电极，位于所述栅极电介质的上方；以及

源极/漏极区，邻近所述栅极电介质和所述栅电极。