[发明专利]一种反向开关晶体管的触发电路

权利要求书

1.一种反向开关晶体管的触发电路，其特征在于，包括预充电路，与所述预充电路串联的主电路，并联在所述主电路和所述预充电路之间的恒流充电电路以及并联在预充电路两端的触发控制电路；所述主电路包括RSD开关和主电容C₀；

预充电路用于为所述RSD开关的导通提供所需要的预充电流，恒流充电电路用于为主电路和预充电路充电，当充电电压达到预设的电压阈值时，通过触发控制电路发出信号给预充电路，预充电路发出预充电流给主电路中的RSD开关，RSD开关导通后主电路中的主电容C₀放电并将能量转移至负载Z₀。

2.如权利要求1所述的触发电路，其特征在于，所述主电路还包括磁环L；磁环L的一端与所述主电容C₀连接，磁环L的另一端与所述RSD开关连接，所述RSD开关还与所述负载Z₀连接；

所述主电容C₀用于为所述负载Z₀提供重复的高功率脉冲；

所述磁环L用于为RSD开关的预充提供时间，并为所述主电路和所述预充电路电解耦；

所述RSD开关用于对电脉冲进行控制与压缩。

3.如权利要求1所述的触发电路，其特征在于，预充电路包括预充电容C_C、预充电阻R_C、第一开关管T₁、第二开关管T₂、第三开关管T₃和第四开关管T₄；

第一开关管T₁与第四开关管T₄串联连接，第二开关管T₂和第三开关管T₃串联连接，预充电容C_C的一端连接至第一开关管T₁与第四开关管T₄的串联连接端，预充电容C_C的另一端连接至第二开关管T₂和第三开关管T₃的串联连接端，预充电阻R_C的一端连接至RSD开关与负载连接的连接端，预充电阻R_C的另一端连接至第四开关管T₄的非串联连接端和第三开关管T₃的非串联连接端。

4.如权利要求3所述的触发电路，其特征在于，所述第一开关管T₁、所述第二开关管T₂、所述第三开关管T₃和所述第四开关管T₄为晶闸管或IGBT管。

5.如权利要求3所述的触发电路，其特征在于，所述第一开关管T₁和所述第三开关管T₃为晶闸管或IGBT管，所述第二开关管T₂和所述第四开关管T₄为晶闸管。

6.如权利要求3-5任一项所述的触发电路，其特征在于，所述第一开关管T₁、所述第二开关管T₂、所述第三开关管T₃或所述第四开关管T₄为快速晶闸管。

7.如权利要求1所述的触发电路，其特征在于，所述触发控制电路包括光电耦合器、MOS管Q、吸收电路、钳位电路和脉冲变压器；

光电耦合器包括8个引脚，2、3引脚接外部单片机输出的脉冲信号，5引脚接电源，8引脚接地，1、4引脚悬空不接，6、7引脚连接至MOS管Q的栅极；

MOS管Q的源极接地，栅极与源极间并入一个电阻R_s加速MOS管关断，MOS管Q的漏极串联接脉冲变压器TM后再串联接至电源，而漏源极两端并联接入钳位保护电路；脉冲变压器TM的两端分别接MOS管Q的漏极与电源后并联接入吸收电路。

8.如权利要求7所述的触发电路，其特征在于，所述触发控制电路还包括并接在所述MOS管Q的栅极与源极之间的电阻R_s，和连接在所述光电耦合器的第6引脚与所述MOS管Q的栅极之间的栅极电阻R_g。