[发明专利]薄膜压电元件及其制造方法、磁头折片组合及磁盘驱动器

权利要求书

1.一种薄膜压电元件，包括：

衬底；以及

形成于所述衬底上的压电薄膜叠层，所述压电薄膜叠层包括上电极层、下电极层以及层夹于所述上电极层和所述下电极层之间的压电层，其特征在于：所述压电层包括第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层的成分具有不同的相结构；

其中，包括所述第一压电层和所述第二压电层的所述压电层被形成具有成分构成和物理结构，以确保随着向薄膜压电元件递增地施加AC电压至50伏，该薄膜压电元件产生去极化电压点且行程递增；在使用时，该薄膜压电元件在-40～125℃的温度范围下放电电压变化和极化变化的范围不超过+/-10％。

2.如权利要求1所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层的其中之一具有菱形相结构，另一具有四方相结构。

3.如权利要求1所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层的其中之一的成分在晶相转换边界，另一具有菱形相结构或四方相结构。

4.如权利要求1所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述压电层由锆钛酸铅(Pb(Zr_xTi_1-x)O₃)制成。

5.如权利要求4所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层具有不同的钛组分。

6.如权利要求4所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述压电层包括两个以上分别具有不同钛组分的层体。

7.如权利要求6所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述压电层的组分具有由两层或多层沉积而成的在钛组分上的阶梯差异，或具有由特殊沉积处理或后退火处理而形成的在钛组分上的平滑梯度。

8.如权利要求1所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层的厚度范围是0.1μm～1.5μm。

9.如权利要求1所述的薄膜压电元件，其特征在于：所述压电层包括铌酸钾钠基(KNaNbO₃,)、锂铌酸(LiNbO₃)、锂钽酸(LiTaO₃)、钡钛酸(BaTiO₃)、铅钛酸(PbTiO₃)或钛酸锶钡(BaSrTiO₃)。

10.一种薄膜压电元件的制造方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上沉积下电极层；以及

在所述下电极层上依次沉积压电层和上电极层，其特征在于：所述压电层包括第一压电层和第二压电层，所述第一压电层和所述第二压电层具有不同的相结构；

其中，包括所述第一压电层和所述第二压电层的所述压电层被形成具有成分构成和物理结构，以确保随着向薄膜压电元件递增地施加AC电压至50伏，该薄膜压电元件产生去极化电压点且行程递增；在使用时，该薄膜压电元件在-40～125℃的温度范围下放电电压变化和极化变化的范围不超过+/-10％。

11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层的其中之一具有菱形相结构，另一具有四方相结构。

12.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层的其中之一的成分在晶相转换边界，另一具有菱形相结构或四方相结构。

13.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于：所述压电层由锆钛酸铅(Pb(Zr_xTi_1-x)O₃)制成。

14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于：所述第一压电层和所述第二压电层具有不同的钛组分。

15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于：所述压电层包括两个以上分别具有不同钛组分的层体。

16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于：所述压电层的组分具有由两层或多层沉积而成的在钛组分上的阶梯差异，或具有由特殊沉积处理或后退火处理而形成的在钛组分上的平滑梯度。