[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的玻璃基板、空穴注入层、空穴传输层、绿色发光层、电子传输层、电子注入层及阴极层，所述阴极层包括依次层叠的金属氧化物层、掺杂层及透明导电层，所述金属氧化物层层叠于所述电子注入层上，所述金属氧化物层的材料为五氧化二钕、五氧化二钒或五氧化二钽，所述掺杂层的材料为银掺杂的镁或锂掺杂的铝，所述银掺杂的镁中所述银与所述镁的质量比为5:1～20:1，所述锂掺杂的铝中所述锂与所述铝的质量比为0.001:1～0.001:0.1，所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物。

2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为30纳米～50纳米；所述掺杂层的厚度为10纳米～20纳米；所述透明导电层的厚度为20纳米～40纳米。

3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括空穴传输材料及掺杂于所述空穴传输材料中的p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂与所述空穴传输材料的质量比为0.25～0.35:1，所述空穴传输材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的一种，所述p型掺杂剂选自三氧化钼、三氧化钨、五氧化二钒及三氧化铼中的一种；

所述空穴传输层的材料选自N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺及1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷中的一种；

所述绿色发光层的材料包括主体材料及掺杂于所述主体材料中的绿色客体材料，所述绿色客体材料与所述主体材料的质量比为0.02～0.1:1，所述主体材料选自4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、4,4'-二（9-咔唑）联苯、N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-4,4'-联苯二胺、1,1-二[4-[N,N'-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷及9,10-双(1-萘基)蒽中的一种，所述绿色客体材料为三（2-苯基吡啶）合铱、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）铱及三[2-(对甲苯基)吡啶]合铱(III)中的一种；

所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；

所述电子注入层的材料包括电子传输材料及共同掺杂于所述电子传输材料中的硫酸盐与碱金属盐，所述硫酸盐与所述电子传输材料的质量比为0.06～0.25:1，所述碱金属盐与所述电子传输材料的质量比为0.25～0.35:1，所述电子传输材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、4,7－二苯基－1,10－邻菲罗啉、4-联苯酚基－二(2-甲基-8-羟基喹啉)合铝、8-羟基喹啉铝、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑及1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种，所述硫酸盐选自硫酸锂、硫酸钠、硫酸钾、硫酸铷及硫酸铯中的一种，所述碱金属盐选自氟化锂、叠氮化锂、氮化锂、氟化铯、叠氮化铯及氮化铯中的一种。

4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为10纳米～15纳米；所述空穴传输层的厚度为30纳米～50纳米；所述绿色发光层的厚度为10纳米～30纳米；所述电子传输层的厚度为10纳米～60纳米；所述电子注入层的厚度为15纳米～45纳米。