[发明专利]涡电流传感器以及研磨方法和装置

权利要求书

1.一种涡电流传感器，其特征在于，该涡电流传感器配置于形成有金属膜或导电性膜的基板的附近，检测所述金属膜或导电性膜上形成的涡电流，

该涡电流传感器构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈互相分离地配置为外侧的线圈包围内侧的线圈，

各个所述多个线圈分别检测所述金属膜或导电性膜上形成的涡电流。

2.根据权利要求1所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述多个线圈构成分别检测所述金属膜或导电性膜上形成的涡电流的检测线圈。

3.根据权利要求2所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述涡电流传感器，具备有与交流信号源相连接、在所述金属膜或导电性膜上形成涡电流的多个励磁线圈，所述多个励磁线圈互相分离分离配置为外侧的励磁线圈包围内侧的励磁线圈。

4.根据权利要求2所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述涡电流传感器，具备有分别与所述多个检测线圈串联连接的多个虚设线圈，所述多个虚设线圈互相分离分离配置为外侧的虚设线圈包围内侧的虚设线圈。

5.根据权利要求2所述的涡电流传感器，其特征在于，

将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时，所述多个检测线圈中的至少1个由线材或导电体卷绕为1列多层的线圈构成。

6.根据权利要求3所述的涡电流传感器，其特征在于，

将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时，所述多个励磁线圈中的至少1个由线材或导电体卷绕为1列多层的线圈构成。

7.根据权利要求4所述的涡电流传感器，其特征在于，

将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时，所述多个虚设线圈中的至少1个由线材或导电体卷绕为1列多层的线圈构成。

8.根据权利要求3所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述励磁线圈弯曲地形成为越接近半径方向外侧越靠近基板。

9.一种涡电流传感器，其特征在于，该涡电流传感器配置于形成有金属膜或导电性膜的基板的附近，检测所述金属膜或导电性膜上形成的涡电流，

该涡电流传感器构成为，将卷绕了导线或导电体的尺寸不同的多个线圈相对于基板在垂直方向上下配置，

各个所述多个线圈分别检测所述金属膜或导电性膜上形成的涡电流。

10.根据权利要求9所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述多个线圈，由线圈外径小的线圈和线圈外径大的线圈构成，或者将线圈的内径与外径的算术平均定义为线圈中心直径的话，由线圈中心直径小的线圈和线圈中心直径大的线圈构成。

11.根据权利要求10所述的涡电流传感器，其特征在于，

将所述线圈外径小的线圈和所述线圈外径大的线圈分别多个串联连接，被串联连接的线圈外径小的线圈和被串联连接的线圈外径大的线圈配置为任意一方夹着另一方。

12.根据权利要求10所述的涡电流传感器，其特征在于，

将所述线圈中心直径小的线圈和所述线圈中心直径大的线圈分别多个串联连接，被串联连接的线圈中心直径小的线圈和被串联连接的线圈中心直径大的线圈配置为任意一方夹着另一方。

13.根据权利要求9所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述多个线圈构成分别检测所述金属膜或导电性膜上形成的涡电流的检测线圈。

14.根据权利要求13所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述涡电流传感器具有与交流信号源相连接、在所述金属膜或导电性膜上形成涡电流的多个励磁线圈，所述多个励磁线圈相对于基板在垂直方向上下配置。

15.根据权利要求13所述的涡电流传感器，其特征在于，

所述涡电流传感器具有与所述多个检测线圈分别串联连接的多个虚设线圈，所述多个虚设线圈相对于基板在垂直方向上下配置。

16.根据权利要求13所述的涡电流传感器，其特征在于，

将列定义为对于基板的垂直方向、层定义为对于基板的平行方向时，所述多个检测线圈中的至少1个由线材或导电体卷绕为1列多层的线圈构成。