[发明专利]显示面板、薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子元件及其制造方法和包括此电子元件的电子装置，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法和包括此薄膜晶体管的显示面板。

背景技术

近年来环保意识抬头，具有低消耗功率、高空间利用率、无辐射、高画质等优越特性的平面显示面板(flat display panels)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal displays)、等离子体显示器(plasma displays)、有机电激发光显示器(electroluminescent displays)等。以目前最为普遍的液晶显示器为例，其主要是由薄膜晶体管阵列基板、彩色滤光基板以及夹在二者之间的液晶层所构成。在现有习知的薄膜晶体管阵列基板上，一般采用非晶硅(a-Si)薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管作为各个子像素的切换元件。近年来，已有研究指出氧化物半导体(oxide semiconductor)薄膜晶体管相较于非晶硅薄膜晶体管，具有较高的载流子迁移率(field-effect mobility)，且氧化物半导体薄膜晶体管相较于低温多晶硅薄膜晶体管更具有较佳的临界电压(threat hold voltage，Vth)均匀性。因此，氧化物半导体薄膜晶体管有潜力成为下一代平面显示器的关键元件。然而，现有习知的氧化物半导体薄膜晶体管在现行架构下其场效迁动率不易更进一步的提升。

由此可见，上述现有的薄膜晶体管在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的薄膜晶体管，其可以改进现有的薄膜晶体管实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜晶体管的制造方法，其可制作出高载流子迁移率的薄膜晶体管。

本发明的另一个目的是提供一种薄膜晶体管，其载流子迁移率高。

本发明的再一个目的是提供一种显示面板，其电气特性佳。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其包括下列步骤：提供第一基底；在第一基底上形成栅极；在第一基底上形成介电层；在第一基底上形成金属氧化物半导体通道，其中该金属氧化物半导体通道包括金属氧化物半导体层以及配置于金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米微结构；在第一基底上形成源极和漏极，其中该栅极与金属氧化物半导体通道重叠，该介电层阻隔栅极、源极以及漏极，而源极和漏极分别位于金属氧化物半导体通道的相对两侧。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述多个纳米微结构为多个纳米粒子。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中在该第一基底上形成该金属氧化物半导体通道的步骤包括有所述多个纳米粒子配置在该第一基底上和在所述多个纳米粒子上形成金属氧化物半导体层，以覆盖所述多个纳米粒子。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中在该第一基底上形成该金属氧化物半导体通道的步骤包括：提供所述多个纳米粒子；提供金属氧化物半导体前驱物；混合所述多个纳米粒子以及该金属氧化物半导体前驱物，以形成混合液；使该混合液固化于该第一基底上，以形成该金属氧化物半导体通道。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中所述多个纳米粒子的载流子浓度大于该金属氧化物半导体层的载流子浓度。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中每一个该纳米微结构为一个纳米孔洞，且该纳米孔洞的内壁具有导电性。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中在该第一基底上形成该金属氧化物半导体通道的步骤包括：在该第一基底上形成金属氧化物半导体预通道，该金属氧化物半导体预通道包括金属氧化物半导体层以及配置于该金属氧化物半导体层中且彼此分离的多个纳米粒子；移除该金属氧化物半导体层中的所述多个纳米粒子，以形成所述多个纳米孔洞；以及对所述多个纳米孔洞的内壁进行表面处理，以使所述多个纳米孔洞的内壁具有导电性。

较佳的，前述的薄膜晶体管的制造方法，其中移除该金属氧化物半导体层中的所述多个纳米粒子的方法为：利用黏着物移除该金属氧化物半导体层中的所述多个纳米粒子、利用溶剂移除该金属氧化物半导体层中的所述多个纳米粒子、或利用等离子体移除该金属氧化物半导体层中的所述多个纳米粒子。