[发明专利]液晶显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201310110859.3 | 申请日: | 2013-03-21 |
公开(公告)号: | CN103323987A | 公开(公告)日: | 2013-09-25 |
发明(设计)人: | 平塚崇人;伊东理;山本昌直;园田大介;石垣利昌 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器东 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;马立荣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示装置,呈矩阵状地配置多个像素,各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造,且在所述壁状构造之间具有比所述壁状构造小的小壁状构造,
所述液晶显示装置包括:
壁电极,其由在所述像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极、及与该壁状电极相连的、从所述壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成;
电极,其由覆盖所述小壁状构造的TFT侧电极、及与该TFT侧电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成;以及
层间绝缘膜,其形成在所述保持电容电极和所述平面电极之间,
所述液晶显示装置的特征在于,
在所述像素边界的壁状构造的根部分,所述壁状电极和所述平面电极的连接部分的壁电极的厚度形成得较厚。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
在所述像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分,未形成由无机膜形成的所述层间绝缘膜。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置,其特征在于,
当使所述壁状构造的位置、保持电容电极的位置分别为0、L时,所述层间绝缘膜图案形成的位置x为1≤x≤L-1,所述0、L、x、1的单位为μm。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
使所述像素边界的壁状构造作为与滤色器侧基板的间隔件。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
在滤色器侧基板上具有滤色器侧电极,使所述TFT侧电极和所述滤色器侧电极作为虚设壁电极。
6.一种液晶显示装置,呈矩阵状地配置多个像素,各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造,在所述壁状构造之间具有比所述壁状构造小的小壁状构造,
所述液晶显示装置包括:
壁电极,其由在所述像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极、及与该壁状电极相连的、从所述壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成;
电极,其由覆盖所述小壁状构造的TFT侧电极、及与该TFT侧电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成;以及
层间绝缘膜,其形成在所述保持电容电极和所述平面电极之间,
所述液晶显示装置的特征在于,
由有机膜形成的所述像素边界的壁状构造隔着取向膜而与滤色器侧基板相邻。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,
由无机膜形成的所述壁状电极形成至所述滤色器侧基板的附近。
8.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,
在所述像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分未形成由无机膜形成的所述层间绝缘膜。
9.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,
使所述像素边界的壁状构造作为与滤色器基板的间隔件。
10.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,
在滤色器侧基板上具有滤色器侧电极,使所述TFT侧电极和所述滤色器侧电极作为虚设壁电极。
11.一种液晶显示装置的制造方法,该液晶显示装置呈矩阵状地配置多个像素,各像素在像素边界具有绝缘体的壁状构造,在所述壁状构造之间具有比所述壁状构造小的小壁状构造,该液晶显示装置包括:壁电极,其由在所述像素边界的壁状构造的侧面形成的壁状电极、及与该壁状电极相连的、从所述壁状电极与基板接触的面开始沿平面方向延伸的平面电极构成;电极,其由覆盖所述小壁状构造的TFT侧电极、及与该TFT侧电极相连的、沿基板的平面方向延伸的保持电容电极构成;以及层间绝缘膜,其形成在所述保持电容电极和所述平面电极之间,
所述液晶显示装置的制造方法包括以下步骤:
在所述TFT侧电极及保持电容电极上、且在TFT侧的基板上的整个面上形成所述层间绝缘膜的步骤;
将所述像素边界的壁状构造的上表面、侧面及根部分的所述层间绝缘膜除去的步骤;以及
从所述像素边界的壁状构造的侧面到所述平面电极上形成壁电极的步骤。
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