[发明专利]一种太阳能电池的栅线结构无效
| 申请号： | 201310110955.8 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104091841A | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王建树;王庆钱;时利 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314206 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能电池的栅线结构，包括若干条主栅线、副栅线以及细栅线组成，其特征是：所述主栅线由若干段主栅线组成，所述细栅线分布在相邻两条主栅线之间。
2.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的栅线结构，其特征在于：所述的细栅线与相邻两条主栅线的间距相同，其宽度为8～15um。
3.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的栅线结构，其特征在于：所述的主栅线由两根或三根分段主栅线组成。
4.根据权利要求1所述的一种太阳能电池的栅线结构，其特征在于：所述的若干副栅线，相邻两根副栅线的间距相等并且贯穿于主栅线，副栅线的两端为全封闭式，宽度为60～100um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
