[发明专利]一种太阳能电池的选择性掺杂方法

权利要求书

1. 一种太阳能电池的选择性掺杂方法，包括如下步骤：

第1步、使用磁控溅射的方法在硅片上表面淀积一层厚度约为0.05微米的含有掺杂元素的二氧化硅薄膜；

第2步、将淀积后的硅片进行高温扩散，使二氧化硅薄膜中的掺杂元素扩散入硅片，形成PN结；

第3步、除去硅片上表面顶电极区以外的氧化层；

第4步、在硅片上表面淀积本征非晶硅层；

第5步、将硅片置于无氧环境中进行高温扩散，使硅片非顶电极区的掺杂元素被扩散入非晶硅层，降低硅片非顶电极区掺杂元素浓度，实现掺杂元素的逆向扩散；顶电极区二氧化硅薄膜中的掺杂元素进一步向顶电极区扩散，实现顶电极区的重掺杂；

第6步、采用浓硝酸和氢氟酸的混合溶液去除硅片表面的非晶硅层和二氧化硅，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。

2. 根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性掺杂方法，其特征在于：所述硅片为P型单晶硅，掺杂元素为磷元素，第1步中，二氧化硅薄膜中的磷元素的浓度为1e19/cm³。

3. 根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性掺杂方法，其特征在于：所述硅片为N型单晶硅，掺杂元素为硼元素，第1步中，二氧化硅薄膜中的硼元素的浓度为1e19/cm³。

4. 根据权利要求1-3任一项所述的太阳能电池的选择性掺杂方法，其特征在于：第2步中，高温扩散的温度为900℃，高温扩散的时间为5分钟。

5. 根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性掺杂方法，其特征在于：所述第3步中，采用丝网印刷的方法保留顶电极区域的二氧化硅，将硅片上其它区域的二氧化硅利用氢氟酸缓冲液去除掉。

6. 根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性掺杂方法，其特征在于：所述第4步中，淀积的本征非晶硅层厚度约为40-50nm。

7. 根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性掺杂方法，其特征在于：所述第5步中，无氧环境下的高温扩散工艺温度为900℃-1100℃，持续时间为30-2分钟。

8. 根据权利要求1所述的太阳能电池的选择性掺杂方法,其特征在于:所述第6步中, 非晶硅薄膜的去除采用浓硝酸和氢氟酸的混合溶液,其体积比为5:1。