[发明专利]干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法

权利要求书

1.一种干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，其特征在于，具有以下过程和步骤：

1）玻璃衬底的清洗：首先，使用曲拉通，即聚氧乙烯-8-辛基苯基醚TritonX-100溶液，清洗玻璃衬底的表面污垢，然后将该衬底分别依次放在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声波清洗15分钟，并用氮气吹干；

2）非晶硅薄膜的形成：使用等离子体增强化学气相沉积方法，在上述衬底上沉积一层非晶硅薄膜，薄膜厚度300-500 nm，沉积时衬底的温度为250 ℃，使用的气源为99.999%的硅烷和氢气，控制气体辉光放电的气压为50-200 Pa，射频电压为13.56 MHz；

3）二氧化硅薄膜的形成：将生长好的非晶硅薄膜样品放在氧气室中，在20-200 ℃下氧化0.5 -72小时，形成一层1-20 nm的二氧化硅薄膜；

4）淀积金属层：取出样品后，用真空蒸发法或者磁控溅射法，在样品表面淀积一层厚度为5-100 nm的金属铝薄膜，得到衬底/a-Si:H/SiO₂/Al结构，其中蒸发或者溅射原料是99.999%的铝粉或者铝靶；

5）然后将样品置于以氮气为保护气退火炉中，450℃-550℃快速退火10分钟；

6）再置于真空度为1-10 Pa的恒温退火炉中，在250℃-450℃条件下，恒温退火处理1-2小时，并将样品在退火炉中自然冷却； 

7）将退火后的样品置于磁控溅射中刻蚀去掉表面残留的铝。

2. 根据权利要求1所述的干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法，其特征在于，所述步骤2）的等离子体增强化学气相沉积中，使用的气源为99.999%的硅烷以氢气作为稀释，其中氢气所占混合气体比例为2 %。