[发明专利]被动元件单元及相关的制造方法

说明书

技术领域

本发明相关于一种被动元件，尤指一种与基底层之间相隔有中介层的被动元件单元以及相关的制造方法。

背景技术

被动元件(passive device)一般指的是无法产生功率增益(power gain)的电路元件。换句话说，被动元件无法放大信号。电容、电感、及电阻是被动元件几种较常见的例子。

一般来说，在集成电路(integrated circuit，IC)中、被动元件会形成于基底(substrate)的上方。当流经被动元件的电流随时间变化时，此时变电流会导致被动元件下方的基底产生涡电流(eddy current)，从而造成能量损耗，并降低被动元件的效能(performance)。

发明内容

为了解决上述的被动元件的技术问题，本发明特提供一种被动元件单元及一种被动元件制造方法。

本发明的一个实施例提供了一种被动元件单元。所述被动元件单元具有基底层、被动元件、以及介于基底层与被动元件间的中介层。中介层包含多个电感电容谐振器。

本发明另一个实施例提供了一种被动元件单元。所述被动元件单元具有基底层、被动元件、以及介于基底层与被动元件间的介间物质层。

本发明又一个实施例提供了一种被动元件制造方法。首先，于基底层上方先形成中介层，所述中介层包含多个电感电容谐振器。接下来，再于所述中介层上方形成被动元件。

本发明所提供的被动元件单元的结构及相应的制造方法可提升被动元件的效能及增加被动元件工艺的稳定度。

附图说明

图1为本发明位于集成电路内的被动元件单元的实施例纵剖面图。

图2及图3为图1的被动元件单元的上视图的两个例子。

图4为电感电容谐振器的等效电路的一个例子。

图5为以隙环谐振器所实现的电感电容谐振器的上视图的一个例子。

图6及图7为图1的被动元件单元的上视图的另外两个例子。

图8为用以制造图1的被动元件单元的工艺流程图的一个例子。

具体实施方式

在说明书及权利要求书当中使用了某些词汇来称呼特定的元件。本领域的技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求书当中所提及的“包含”是开放式的用语，故应解释成“包含但不限定于”。此外，“耦接”一词在此是包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述第一装置耦接于第二装置，则代表第一装置可直接电气连接于第二装置，或通过其它装置或连接手段间接地电气连接到第二装置。

图1为本发明位于集成电路内的被动元件单元的实施例纵剖面图。图中的集成电路100可包含被动元件及主动元件(active devices)、或是包含被动元件但没有主动元件。若集成电路100包含被动元件但没有主动元件，则其可称为集成被动元件(integrated passive device，IPD)。

集成电路100至少具有三层，包含电路元件层(circuit component layer)120、中介层(intermediary layer)140、及基底层(substrate layer)160。中介层140介于电路元件层120及基底层160之间。此三层中任一层皆可包含一个或多个子层(sub-layer)。在集成电路100中，电路元件层120及基底层160可以延伸于其所处的整个横截面上、中介层140可以延伸于其所处的整个横截面上或是仅形成于被动元件的下方。

被动元件单元110是集成电路100上用于形成被动元件122的立体区块。举例来说，被动元件122形成于被动元件单元110区块内的电路元件层120中。由于被动元件122可以是电阻、电容、电感、或其他的被动元件，图1仅用一个方块来代表被动元件122的纵剖面。至于电路元件层120中未被被动元件122占据的区域则可能已被磨掉或蚀刻掉。