[发明专利]一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法无效
申请号: | 201310112201.6 | 申请日: | 2013-04-02 |
公开(公告)号: | CN103190438A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 邵鹏飞 | 申请(专利权)人: | 邵鹏飞 |
主分类号: | A01N59/00 | 分类号: | A01N59/00;A01P1/00;A01P3/00 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 腐蚀性 氧化 电位 杀菌 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及杀菌消毒领域,特别涉及一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水及其制备方法。
背景技术
消毒领域中引入氧化还原电位的概念是源于日本20世纪80年代研制生产的酸性氧化电位水生成机及由生成机产生的酸性氧化电位水。酸性氧化电位水(简称:EOW)是指具有高氧化还原电位(ORP)、低pH值特性和低浓度有效氯(ACC)的水。
酸性氧化电位水杀菌的机理如下:
首先,自然界中大多数种类的微生物生活在pH4-9的环境中,而酸性氧化电位水的pH值可影响微生物生物膜上的电荷以及养料的吸收、酶的活性,并改变环境中养料的可给性或有害物质的毒性,从而快速杀灭微生物。
其次,由于氢离子、钾离子、钠离子等在微生物生物膜内外的分布不同,使得膜内、外电位达到动态平衡时有一定的电位差,一般约为-700~+900mV。酸性氧化电位水中的氧化、还原物质和pH等因素,使其具有高ORP(即ORP>1100mV)。EOW接触微生物后迅速夺取电子,干扰生物膜平衡,改变生物膜内外电位差、膜内外的渗透压,导致生物膜通透性增强、细胞肿胀及生物代谢酶的破坏,使膜内物质溢出、溶解,从而快速杀灭微生物。
最后,有效氯能使细胞的通透性发生改变,或使生物膜发生机械性破裂,促使膜内物质向外渗出,致使微生物死亡。并且,次氯酸为中性小分子物质,易侵入细胞内与蛋白质发生氧化作用或破坏其磷酸脱氢酶,使糖代谢失调致使微生物死亡,从而快速杀灭微生物。
EOW系统的杀菌能力是以ACC为主导,低pH值及高ORP为重要促进的三者协同作用的结果。该系统协同效果远高于单一的ACC、低pH值及高ORP作用的简单加和,其ACC越高、pH值越低、ORP越高,系统综合灭菌效果越好。
但是,现有的酸性氧化电位水具有普遍的金属腐蚀性。
发明内容
本发明的第一目的在于提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,以解决现有技术中的酸性氧化电位水具有普遍金属腐蚀性的技术性问题。
本发明的第二目的在于提供一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水,以解决现有技术中的酸性氧化电位水具有普遍金属腐蚀性的技术性问题。
本发明目的通过以下技术方案实现:
一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水的制备方法,包括以下步骤:
(1)提供含有有效氯或者可以产生有效氯的有效氯提供单元;
(2)提供pH值调节单元;
(3)将所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合,得到强氧化性溶液,所述强氧化性溶液的pH值在2-8间,其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,所述强氧化性溶液中二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量之和不高于0.05mol/L。
优选地,所述强氧化性溶液的pH值在5.0-7.0间,其氧化还原电位为700-1200mV,其有效氯含量为3-2000mg/L,所述强氧化性溶液中二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量之和为10-10-10-2mol/L。
优选地,在步骤(1)中还包括:对所述有效氯提供单元进行降低二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量之和的预处理。
优选地,在步骤(2)中还包括:对所述pH值调节单元进行降低二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量之和的预处理。
优选地,在步骤(3)中还包括:对所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后的混合液进行降低二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量之和的后处理。
优选地,所述降低二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量 之和的处理方法可选自加入化学失活剂、加热、超声、膜过滤中的一种或者几种。
一种低腐蚀性的氧化电位杀菌水,包括使用前独立分装的pH值调节单元和有效氯提供单元;所述有效氯提供单元为含有有效氯或者可以产生有效氯的制剂,所述pH值调节单元与所述有效氯提供单元混合后得到强氧化性溶液,所述强氧化性溶液的pH值在2-8间,其氧化还原电位不低于600mV,其有效氯含量不低于3mg/L,所述强氧化性溶液中二氧化碳、碳酸、碳酸氢根离子和碳酸根离子的含量之和不高于0.05mol/L。
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