[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

一源极；

一漏极；

一半导体层，所述漏极和源极间隔设置且分别与所述半导体层电连接；

一栅极，该栅极通过一绝缘层与所述半导体层、源极及漏极绝缘设置；

其特征在于，进一步包括一过渡层设置于所述半导体层与所述绝缘层之间，所述过渡层为通过固化HSQ形成的硅氧多聚交联体层，所述硅氧多聚交联体层中的硅原子分别与所述半导体层及所述绝缘层中的原子相键合。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过渡层的厚度为5纳米-25纳米。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层由多个单壁碳纳米管组成。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为多个碳纳米管通过范德华力连接组成的碳纳米管膜。

5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层为多根长碳纳米管平行排列组成，所述源极和漏极分别设置在所述多根长碳纳米管的两端。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述长碳纳米管的直径为0.5纳米~10纳米，所述长碳纳米管的长度大于5微米。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，其包括以下步骤：

提供一绝缘基板，在所述绝缘基板的一表面形成一栅极；

在所述栅极的表面形成一绝缘层；

在绝缘层的表面形成一HSQ凝胶层；

在所述HSQ凝胶层的表面形成一半导体层；

对所述HSQ凝胶层进行前烘处理得到一HSQ预制层；

固化所述HSQ预制层得到一过渡层，所述过渡层为硅氧多聚交联体层，所述硅氧多聚交联体层中的硅原子分别与所述半导体层及所述绝缘层中的原子相键合；以及

在所述半导体层的表面形成相互间隔的一源极及一漏极。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在绝缘层远离所述栅极的表面设置一HSQ凝胶层具体包括以下步骤：

将HSQ与溶剂以一定的体积比混合得到一HSQ胶体，其中，所述HSQ与溶剂的体积比为1：15~1：25，所述溶剂为甲基异丁基酮或丁酮；

将所述HSQ胶体涂覆于所述绝缘层远离栅极的表面得到一HSQ凝胶层，其中，所述HSQ凝胶层的厚度为10纳米～30纳米。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述前烘处理过程的温度为80摄氏度-110摄氏度，时间为30秒至3分钟。

11.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述固化过程为将HSQ预制层置于500摄氏度下退火30分钟。