[发明专利]利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA杂化方法有效
| 申请号： | 201310113326.0 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104101626A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 张跃;章潇慧;廖庆亮;刘硕;王钦玉;张铮 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 石墨 修饰 电子 迁移率 晶体管 测量 dna 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 利用石墨烯修饰高电子迁移率晶体管测量DNA杂化方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
首先，HEMT的构建：在温度580℃下，分子束外延沉积GaAs层1μm，Al0.26 Ga0.7As层3nm，Si掺杂AlGaAs层22nm，及Si掺杂GaAs帽层5nm；沉积Ni/AuGe/Ni/Au作为HEMT的源极和漏极，其中，Ni: 50 nm, AuGe: 204 nm, Ni: 10 nm, Au: 50 nm；利用等离子体增强化学气相沉积法将SiO2绝缘层沉积到器件表面；用石蜡对HEMT进行封装，仅保持栅极暴露在外；
其次，探针DNA固定到HEMT栅极：将探针DNA溶液与浓度为0.1-10 mg/mL石墨烯乙醇分散液，进行混合，其混合比例为DNA溶液体积：石墨烯分散液体积为1:6-1:3，在温度为18-22℃下将混合液孵化30-50分钟，随后，将适量孵化液滴在步骤1制备得到的HEMT栅极上，在温度为0-4℃下进行孵化和干燥、备用；其中，探针DNA溶液由磷酸盐缓冲液配置，浓度在0.01-10μM；
最后，石墨烯修饰HEMT对DNA杂化进行检测：将不同浓度的目标DNA滴加到已经固定了探针DNA的HEMT栅极，测量HEMT源极和漏极之间的电流变化，获得DNA杂化电流。
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