[发明专利]一种高质量BBO晶体快速生长的方法无效
| 申请号： | 201310113796.7 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103225107A | 公开（公告）日： | 2013-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王昌运;吴少凡;陈伟 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350000 福建省福州市鼓楼区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质量 bbo 晶体 快速 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高质量BBO晶体快速生长的方法，采用碳酸钡和硼酸为主要原料，氟化钠或氧化钠为助熔剂，熔盐生长炉为生长装置，其特征在于：晶体生长表面增加一个铂金散热装置。
2.根据权利要求1所述的一种高质量BBO晶体快速生长的方法，其特征在于：所述铂金散热装置由上盖板与下盖板组成。
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