[发明专利]一种制程简化的肖特基器件及制造方法

权利要求书

1.一种制程简化的肖特基器件，其特征在于：

A、背面金属层（1），为器件的阴极，用于导电焊接的金属材料；

B、衬底层（2），为高浓度N传导类型半导体材料；

C、外延层（3），为低浓度N传导类型半导体材料；

D、势垒层（4），为由薄膜势垒金属与外延层（3）顶部的N型半导体材料合金形成的肖特基势垒层；

E、正面金属层（5），为器件的阳极，用于导电焊接的金属材料；

F、隔离层（6），为有机绝缘材料；

G、台面腐蚀槽（7），为衬底层（2）、外延层（3）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，被隔离层（6）覆盖的部分；

H、台面腐蚀划片线（8），为衬底层（2）的N传导类型半导体材料腐蚀后的表面层，无隔离层（6）覆盖的部分。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的肖特基势垒层边缘设有光滑台面腐蚀槽（7）。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的半导体器件的台面腐蚀槽（7）上涂覆低温固化的有机绝缘材料8000埃-10000埃厚的隔离层（6）。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的肖特基势垒层（4）是由溅射的薄层势垒金属与外延层顶部的N型半导体材料通过450℃-500℃氮气合金形成。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的衬底层的杂质掺杂浓度大于或等于5×10¹⁸/cm³。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述的外延层的杂质掺杂浓度为5×10¹³－5×10¹⁵ /cm³。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：简化的制造流程包括如下步骤：

A、在衬底层（2）上通过外延生产方式形成外延层（3）；

B、通过溅射生产方式在清洗后的外延层表面淀积薄层的势垒金属，经过合金后形成肖特基势垒接触，通过化学腐蚀方式将表面多余势垒金属腐蚀干净后漏出势垒层（4），在势垒层（4）上通过金属蒸发的方式，形成正面金属层（5）；

C、在正面金属层上涂布一层光刻胶，利用第一次光刻曝光、显影工艺条件后，将管芯边缘刻开露出金属层，使用金属腐蚀液进行腐蚀，将露出的金属层腐蚀干净，此时势垒层露出，使用特殊配比的硅腐蚀液直接腐蚀，通过控制腐蚀时间直接腐蚀到衬底层，形成台面腐蚀槽（7）；

D、将具有感光性的有机绝缘材料涂覆在表面，再涂布一层光刻胶，利用第二次光刻曝光、显影工艺条件后，将曝光区域的光刻胶去除，露出有机绝缘材料，采用湿法腐蚀工艺去除有机绝缘材料，再去除表面未曝光区域的光刻胶后，进行低温烘烤，将有机绝缘层固化，形成表面隔离层（6），此时半导体器件的正面工艺完成；

E、在硅片的衬底层（2）的底部，通过减薄工艺，金属蒸发工艺形成背面金属层（1）。