[发明专利]具有自稳零电路的二极管红外探测器读出电路有效
| 申请号： | 201310114154.9 | 申请日： | 2013-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103162842A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 黄卓磊;王玮冰 | 申请（专利权）人： | 江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | G01J5/10 | 分类号： | G01J5/10 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 电路 二极管 红外探测器 读出 | ||
1.一种具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：包括与二极管红外探测器（1）的负端连接的晶体管（2），所述晶体管（2）的漏极端与二极管红外探测器（1）的负端连接，晶体管（2）的源极端接地；所述晶体管（2）的漏极端还与自稳零点路连接，所述自稳零点路包括主运算放大器（6）及从运算放大器（7），所述主运算放大器（6）的反相端与第一反馈电阻（5）的一端及第二反馈电阻（11）的一端连接，且主运算放大器（6）的反相端与第一单刀双掷开关（8）的Φ2端连接，第一反馈电阻（5）的另一端与晶体管（2）的漏极端连接，第二反馈电阻（11）的另一端与主运算放大器（6）的输出端连接；
主运算放大器（6）的同相端与第一单刀双掷开关（8）的Φ1端及从运算放大器（7）的同相端连接，第一单刀双掷开关（8）的单端与从运算放大器（7）的反相端连接；从运算放大器（7）的输出端与第二单刀双掷开关（12）的单端连接，第二单刀双掷开关（12）的Φ1端与从运放电容（9）的第一端及从运算放大器（7）的辅助输入端连接，从运放电容（9）的第二端与主运放电容（10）的第二端连接，主运放电容（10）的第一端与第二单刀双掷开关（12）的Φ2端及主运算放大器（6）的辅助输入端连接。
2.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述从运放电容（9）及主运放电容（10）的第二端与第二降压稳压器（4）的输出端连接，所述第二降压稳压器（4）的输入端与二极管红外探测器（2）的正端连接。
3.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述主运算放大器（6）的电源端及从运算放大器（7）的电源端均与第一降压稳压器（3）的输出端连接，所述第一降压稳压器（3）的输入端与二极管红外探测器（1）的正端连接。
4.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述二极管红外探测器（1）包括六个串接的二极管。
5.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述晶体管（2）采用单个MOS管或共源共栅电路。
6.根据权利要求3所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述第一降压稳压器（3）为低压差线性稳压器。
7.根据权利要求2所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述第二降压稳压器（4）为开关型线性稳压器。
8.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述从运放电容（9）为多晶硅电容、金属电容、MOS电容或外接电容。
9.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述主运放电容（10）为多晶硅电容、金属电容、MOS电容或外接电容。
10.根据权利要求1所述的具有自稳零点路的二极管红外探测器读出电路，其特征是：所述第一反馈电阻（5）及第二反馈电阻（11）为阱电阻、多晶电阻、金属电阻或外接电阻。
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