[发明专利]非易失性存储装置、存储系统及其编程方法有效
申请号: | 201310114199.6 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN103366809B | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 郭东勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06;G11C16/10 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性 存储 装置 存储系统 及其 编程 方法 | ||
1.一种对非易失性存储装置编程的方法,所述非易失性存储装置包括在垂直于衬底的方向上形成的单元串,所述方法包括:
检测被选择存储块的损耗平均信息;
根据所述损耗平均信息来确定对所述被选择存储块的多个串选择线的选择顺序;以及
根据所确定的选择顺序来将数据写入所述被选择存储块。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括在所述损耗平均信息的值超过参考值时改变对所述多个串选择线的选择顺序。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述选择顺序包括:
第一顺序,其中按照所述多个串选择线的排列顺序来选择所述多个串选择线;
第二顺序,其中按照所述多个串选择线的排列顺序的反向顺序来选择所述多个串选择线;以及
第三顺序,其中从中心向边缘来选择所述多个串选择线。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述损耗平均信息包括所述被选择存储块的擦除计数。
5.一种存储系统,包括:
非易失性存储装置,其包括与多条串选择线连接的存储块;以及
存储器控制器,其构造为控制所述非易失性存储装置以选择所述多条串选择线中的至少一条,
其中,所述存储器控制器构造为根据所述存储块的损耗平均信息来改变对所述多条串选择线的选择顺序。
6.根据权利要求5所述的存储系统,其中,所述存储器控制器构造为向所述非易失性存储装置提供与所述选择顺序相对应的串选择线地址。
7.根据权利要求6所述的存储系统,其中,当所述损耗平均信息的值超过参考值时,所述存储器控制器构造为提供不按照所述多条串选择线的排列顺序进行选择的串选择线地址。
8.根据权利要求6所述的存储系统,其中,当所述损耗平均信息的值超过参考值时,所述存储器控制器构造为提供按照所述多条串选择线的排列顺序的反向顺序进行选择串选择线地址。
9.根据权利要求6所述的存储系统,其中,当所述损耗平均信息的值低于参考值时,所述存储器控制器构造为提供按照所述多条串选择线的排列顺序而顺序地进行选择的串选择线地址。
10.根据权利要求6所述的存储系统,其中,所述存储器控制器包括:
损耗平均管理器,其构造为提供所述存储块的损耗平均信息;以及
地址重新映射器,其构造为根据所述损耗平均信息来调整所述串选择线地址。
11.根据权利要求5所述的存储系统,其中,所述存储器控制器构造为向所述非易失性存储装置提供包含所述损耗平均信息的写入指令。
12.根据权利要求11所述的存储系统,其中,所述非易失性存储装置构造为基于所述写入指令来重新映射所述串选择线地址。
13.根据权利要求11所述的存储系统,其中,所述写入指令构造为根据所述损耗平均信息而改变。
14.根据权利要求11所述的存储系统,其中,所述存储块包括在竖直方向上形成的多个单元串。
15.一种非易失性存储装置,包括:
单元阵列,其包括多个存储块,每个存储块均与多条串选择线连接;
页面缓冲器,其与所述单元阵列的位线连接;
解码器,其通过所述多条串选择线与所述单元阵列连接;以及
地址重新映射器,其构造为根据损耗平均信息来重新映射输入地址并且向所述解码器提供重新映射后的地址,
其中,所述地址重新映射器构造为按照以下方式重新映射所述输入地址:根据所述损耗平均信息来调整对被选择存储块的多条串选择线的选择顺序。
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