[发明专利]晶体管

权利要求书

1. 一种晶体管，其中包括：

半导体衬底；

第一电极，配置于所述半导体衬底上，并且具有第一及第二部分；

第二电极，在所述半导体衬底上与所述第一电极分离地配置；

控制电极，在所述半导体衬底上配置于所述第一电极与所述第二电极之间；以及

第一散热板，该第一散热板不与所述第一电极的所述第一部分接合，而与所述第二部分接合。

2. 根据权利要求1所述的晶体管，其中，

在所述第一及第二电极以及所述控制电极存在的区域的外侧，所述第一散热板与所述半导体衬底接合。

3. 根据权利要求1或2所述的晶体管，其中，

所述第一部分为所述第一电极的端部。

4. 根据权利要求1或2所述的晶体管，其中，

还包括设在所述第一部分与所述第二部分之间的第一电阻。

5. 根据权利要求1或2所述的晶体管，其中，

所述控制电极具有与所述第一部分相向的第三部分、和与所述第二部分相向的第四部分，

还包括设于所述第三部分与所述第四部分之间的第二电阻。

6. 根据权利要求1或2所述的晶体管，其中，

还包括第二散热板，该第二散热板与所述第一电极的所述第二部分不接合，而与所述第一部分接合，其散热性能低于所述第一散热板。

7. 根据权利要求1或2所述的晶体管，其中，

还包括高热电阻膜，该高热电阻膜设在所述第一电极的所述第一部分与所述第一散热板之间，具有比所述第一电极及所述第一散热板高的热电阻。

8. 一种晶体管，其中包括：

半导体衬底；

第一电极，配置于所述半导体衬底上，并且具有第一及第二部分；

第二电极，在所述半导体衬底上与所述第一电极分离地配置；以及

控制电极，在所述半导体衬底上，该控制电极配置于所述第一电极与所述第二电极之间，

所述第一电极的所述第一部分比所述第二部分粗。

9. 一种晶体管，其中包括：

半导体衬底；

多个第一电极，彼此平行地配置于所述半导体衬底上；

多个第二电极，在所述半导体衬底上平行地配置于所述多个第一电极之间；以及

多个控制电极，在所述半导体衬底上，所述多个控制电极分别配置于所述第一电极与所述第二电极之间，

所述多个控制电极具有第一控制电极和第二控制电极，该第二控制电极配置于所述第一控制电极旁且比所述第一控制电极短。