[发明专利]γ射线结合臭氧制备PTFE超细粉的方法

权利要求书

1.一种γ射线结合臭氧制备PTFE超细粉的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将干燥的聚四氟乙烯原料用液氮进行急冷处理；将急冷处理后的聚四氟乙烯原料粉碎成粒径为100-1000μm的粉料；

（2）将聚四氟乙烯粉料放入盛具中，所述盛具密封且位于贯穿钴60辐照室的自动流水线上，其内设置有至少1个释放装置接口，钴60辐照室包括位于辐照室中间的至少1个钴60辐照装置、经过钴60辐照装置的自动流水线、至少1个臭氧释放装置、辐射隔离墙以及控制室；

（3）聚四氟乙烯粉料随着开启的自动流水线匀速进入辐照室，在聚四氟乙烯粉料经过至少1个钴60辐照装置时，所述至少1个臭氧释放装置向聚四氟乙烯粉料所在的密封盛具内充入臭氧，充入的臭氧与所述聚四氟乙烯粉料的重量比为0.1%-0.5%；

（4）在经过所述至少1个钴60辐照装置时，至少1个钴60辐照装置产生的伽马射线对聚四氟乙烯粉料进行辐照，辐照剂量为40-60KGy；

（5）装有经过辐照的聚四氟乙烯粉料的盛具由自动流水线运出辐照室；

（6）用气流粉碎机将经过辐照的聚四氟乙烯粉料进行再粉碎、分级，聚四氟乙烯细粉分散成平均粒径5μm以下的聚四氟乙烯超细粉。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少1个臭氧释放装置向聚四氟乙烯粉料的密封盛具内充入臭氧，充入的臭氧与聚四氟乙烯粉料的重量比为0.3%。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少1个钴60辐照装置为单栅板钴源。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述至少1个钴60辐照装置为双栅板钴源。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（4）还包括所述自动流水线与装有聚四氟乙烯粉料的盛具接合在一起，并在自动流水线的出口端将经过辐照的聚四氟乙烯粉料倒入步骤（5）所述的气流粉碎机的进料口。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述气流粉碎机包括气流喷嘴、粉碎腔，压缩空气通过喷嘴高速喷射入粉碎腔，使经过辐照的聚四氟乙烯细粉颗粒在多股高压气流的交汇点处反复碰撞、磨擦、剪切而粉碎。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述气流粉碎机还包括旋风分离器、除尘器和引风机；所述气流粉碎机包括分级区，在粉碎腔粉碎后的聚四氟乙烯在引风机作用下运动至分级区，在分级轮作用下，使聚四氟乙烯细粉颗粒按粒度大小分离，符合粒度要求的细颗粒通过分级轮进入旋风分离器或除尘器进行收集，不符合粒度要求的粗颗粒下降至粉碎腔继续粉碎。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述气流粉碎机的气流喷嘴为拉瓦尔喷嘴。

9.如权利要求8中所述的方法，其特征在于，所述气流粉碎机具有干燥过滤装置，干燥过滤装置位于喷嘴前方。

10.如权利要求1-9任一项所述的方法，其特征在于，所述自动流水线为可实现自动倒车的斗式输送机或悬挂链式输送系统。