[发明专利]三结太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310114714.0 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103151415A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种三结太阳电池，其特征在于，包括分别采用AlGaInP材料、BInGaAs材料以及InGaAsN材料制成的三结子电池，所有子电池的晶格常数均与GaAs衬底匹配。
2.根据权利要求1所述的三结太阳电池，其特征在于，所述三结子电池分别为InGaAsN底电池、BInGaAs中间电池以及AlGaInP顶电池，所述太阳电池包括依次连接的InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结以及AlGaInP顶电池，所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。
3.根据权利要求2所述的三结太阳电池，其特征在于，所述InGaAsN底电池中In的组分范围为10.45%-10.55%，N的组分范围为3.55%-3.65%，所述InGaAsN底电池的带隙宽度为~0.94 eV。
4.根据权利要求2所述的三结太阳电池，其特征在于，所述BInGaAs中间电池中B的组分范围为1.45%-1.55%，In的组分范围为2.95%-3.05%，所述BInGaAs中间电池的带隙宽度为~1.39 eV。
5.根据权利要求2所述的三结太阳电池，其特征在于，所述AlGaInP顶电池中Al的组分范围为3.65%-3.75%，In的组分范围为48.95%-49.05%，所述AlGaInP顶电池的带隙宽度为~1.93 eV。
6.一种权利要求1所述的三结太阳电池的制备方法，其特征在于，包括步骤：
1）在GaAs衬底上依次生长InGaAsN底电池、第一隧道结、BInGaAs中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及欧姆接触层；
2）分别在所述AlGaInP顶电池和所述GaAs衬底上制备上、下电极，获得目标太阳电池。
7.根据权利要求6所述的三结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述三结太阳电池采用MOCVD法或MBE法生长形成。
8.根据权利要求6所述的三结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述InGaAsN底电池中In的组分范围为10.45%-10.55%，N的组分范围为3.55%-3.65%。
9.根据权利要求6所述的三结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述BInGaAs中间电池中B的组分范围为1.45%-1.55%，In的组分范围为2.95%-3.05%。
10.根据权利要求6所述的三结太阳电池的制备方法，其特征在于，所述AlGaInP顶电池中Al的组分范围为3.65%-3.75%，In的组分范围为48.95%-49.05%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310114714.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MEMS麦克风
- 下一篇：多用途柔性光导引弦器
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
