[发明专利]双电源供电系统

权利要求书

1.一种双电源供电系统，其特征在于，所述双电源供电系统包括电压比较器和低压差线性稳压器，所述电压比较器根据第一电源和第二电源的比较结果产生控制信号，所述低压差线性稳压器根据所述控制信号对所述第一电源和/或所述第二电源进行低压差线性稳压，其中所述低压差线性稳压器包括第一晶体管、第二晶体管、第一开关、电流镜电路以及稳压电路，所述第一晶体管的输入端和所述第二晶体管的输入端连接所述第一电源，所述第一晶体管的控制端和所述第二晶体管的控制端连接所述第一开关的动端，所述第一开关的第一不动端连接第一电压，所述第一开关的第二不动端连接所述第一晶体管的输出端，所述第一晶体管的输出端经所述电流镜电路连接第二电压，所述第二晶体管的输出端连接所述稳压电路。

2.根据权利要求1所述的双电源供电系统，其特征在于，当所述电压比较器输出控制信号控制所述第一开关的动端与所述第一开关的第一不动端连接时，所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述第一电压的作用下截止，当所述电压比较器输出所述控制信号控制所述第一开关的动端与所述第一开关的第二不动端连接时，所述第一晶体管在所述电流镜电路和所述第二电压的作用下导通，所述第二晶体管在所述第一晶体管产生的偏置电压的作用下导通，以使所述第一电源经所述第二晶体管输出至所述稳压电路。

3.根据权利要求2所述的双电源供电系统，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管都为PMOS晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管的输入端对应于所述PMOS晶体管的源极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的控制端对应于所述PMOS晶体管的栅极，所述第一晶体管和所述第二晶体管的输出端对应于所述PMOS晶体管的漏极。

4.根据权利要求2所述的双电源供电系统，其特征在于，所述低压差线性稳压器进一步包括第三晶体管、第四晶体管、第二开关，所述第三晶体管的输入端和所述第四晶体管的输入端连接所述第二电源，所述第三晶体管的控制端和所述第四晶体管的控制端连接所述第二开关的动端，所述第二开关的第一不动端连接所述第一电压，所述第二开关的第二不动端连接所述第三晶体管的输出端，所述第三晶体管的输出端经所述电流镜电路连接所述第二电压，所述第四晶体管的输出端连接所述稳压电路，当所述电压比较器输出控制信号控制所述第二开关的动端与所述第二开关的第一不动端连接时，所述第三晶体管和所述第四晶体管在所述第一电压的作用下截止，当所述电压比较器输出控制信号控制所述第二开关的动端与所述第二开关的第二不动端连接时，所述第三晶体管在所述电流镜电路和所述第二电压的作用下导通，所述第四晶体管在所述第三晶体管产生的偏置电压的作用下导通，以使所述第二电源经所述第四晶体管输出至所述稳压电路。

5.根据权利要求4所述的双电源供电系统，其特征在于，所述第三晶体管和所述第四晶体管都为PMOS晶体管，所述第三晶体管和所述第四晶体管的输入端对应于所述PMOS晶体管的源极，所述第三晶体管和所述第四晶体管的控制端对应于所述PMOS晶体管的栅极，所述第三晶体管和所述第四晶体管的输出端对应于所述PMOS晶体管的漏极。

6.根据权利要求4所述的双电源供电系统，其特征在于，当所述第一电源和所述第二电源之间的差值小于预定阈值时，所述电压比较器输出控制信号控制所述第一开关的动端与所述第一开关的第二不动端连接，所述第二开关的动端与所述第二开关的第二不动端连接，当所述第一电源和所述第二电源之间的差值大于预定阈值且所述第一电源大于所述第二电源时，所述电压比较器输出控制信号控制所述第一开关的动端与所述第一开关的第二不动端连接，所述第二开关的动端与所述第二开关的第一不动端连接，当所述第一电源和所述第二电源之间的差值大于预定阈值且所述第二电源大于所述第一电源时，所述电压比较器输出控制信号控制所述第一开关的动端与所述第一开关的第一不动端连接，所述第二开关的动端与所述第二开关的第二不动端连接。

7.根据权利要求4所述的双电源供电系统，其特征在于，所述稳压电路包括第一电阻、第二电阻、运算放大器，第五晶体管，所述第一电阻和所述第二电阻串联于所述第二晶体管和所述第四晶体的输出端与所述第二电压之间，所述运算放大器的第一输入端连接于所述第一电阻与所述第二电阻之间，所述运算放大器的第二输入端接收参考电压，所述运算放大器的输出端与所述第五晶体管的控制端连接，所述第五晶体管的输入端与所述第二晶体管和所述第四晶体的输出端连接，所述第五晶体管的输出端与所述第二电压连接。