[发明专利]一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法有效
| 申请号： | 201310115731.6 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103187244A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 闵炼锋;缪海生;刘长安 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 王爱伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 电容 制程中 介质 分层 方法 | ||
1.一种改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其包括：先在硅片上沉积电容下电极板、然后在电容下电极板上沉积介质层，再在电容的介质层上沉积一层氮化钛缓冲层、最后在氮化钛缓冲层上沉积电容上电极板。
2.如权利要求1所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述电容上电极板金属层的结构为自下而上相互叠加的铝铜金属层和氮化钛层，所述电容下电极板金属层的结构为自下而上相互叠加的钛金属层、氮化钛层、铝铜金属层、钛金属层、氮化钛层，所述介质层为氮化硅层。
3.如权利要求1所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述氮化钛缓冲层是通过物理气相沉积工艺形成于介质层上。
4.如权利要求3所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述物理气相沉积氮化钛的工艺采用的气体为氩和氮气。
5.如权利要求3所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述物理气相沉积氮化钛的靶材为钛金属靶材。
6.如权利要求3所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述物理气相沉积氮化钛工艺温度为300摄氏度。
7.如权利要求3所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述物理气相沉积氮化钛工艺的压力为4200—4800兆托。
8.如权利要求1所述的改善半导体晶圆电容制程中介质分层的方法，其特征在于：所述氮化钛缓冲层沉积的厚度为285—315埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
