[发明专利]一种抗单粒子辐射的多栅器件及其制备方法

权利要求书

1.一种抗单粒子辐射的多栅器件，其特征在于，所述多栅器件包括：衬底(1)；在衬底(1)上且分别位于两端的源区(6)和漏区(7)；在衬底上的源区和漏区之间的凸出的鳍型结构(8)和介质层(9)；在鳍型结构和介质层上的栅介质(10)；覆盖于栅介质上的栅电极(11)；以及在相邻的两个鳍之间的漏区中设置有两层互相分开的隔离层(4)，两层隔离层之间形成夹心(5)。

2.如权利要求1所述的多栅器件，其特征在于，所述夹心(5)的掺杂与源区和漏区的掺杂类型相同，与所述衬底(1)的掺杂类型相反。

3.如权利要求2所述的多栅器件，其特征在于，所述夹心与衬底形成分流pn结，将分流pn结的电极互连引出，不与漏极的端口相连。

4.如权利要求3所述的多栅器件，其特征在于，所述分流pn结的n区接高电位。

5.如权利要求1所述的多栅器件，其特征在于，所述隔离层(4)的材料采用氧化硅或氮化硅等绝缘介质。

6.如权利要求1所述的多栅器件，其特征在于，所述栅介质(10)的剖面的形状为∏型、Ω型、四边形及圆柱形等。

7.一种抗单粒子辐射的多栅器件的制备方法，其特征在于，制备方法，包括以下步骤：

1)提供衬底；

2)形成隔离层；

3)光刻有源区；

4)淀积厚氧化层，回刻形成浅槽隔离STI；

5)光刻、刻蚀形成栅介质和栅电极；

6)源区和漏区的延伸区进行离子注入；

7)制备栅侧墙，对源区和漏区进行离子注入；

8)对夹心进行离子注入。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述其中，在步骤2)中，形成隔离层具体包括以下步骤：

a)热氧化形成缓冲层和保护层，光刻、刻蚀缓冲层、保护层和衬底，形成沟槽；

b)淀积隔离层的材料，刻蚀多余的隔离层材料，形成隔离层；

c)外延硅，随后化学机械平坦化CMP磨平，形成夹心。

9.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述其中，在步骤3)中，光刻有源区具体包括以下步骤：

a)虚线区域内为源区、漏区和鳍型结构所在区域，刻蚀源区、漏区及鳍型结构以外的

区域的氧化层；

b)刻蚀源区、漏区及鳍型结构以外的区域的硅，形成鳍型结构及源区和漏区。