[发明专利]磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法无效
| 申请号： | 201310116034.2 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104099563A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 金平实;曹逊;姜萌;周怀娟;罗宏杰;包山虎 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁控溅射 法制 氧化 薄膜 方法 | ||
1.一种磁控溅射法制备二氧化钒薄膜的方法，其特征在于，包括：以金属钒为靶材，以氩气为溅射气体、以及以氧气为反应气体对所述靶材进行溅射以在衬底上形成二氧化钒薄膜，其中控制沉积温度为300～500℃、沉积全压为0.5～2.0Pa、氧气分压为1～5%。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过对所述靶材进行溅射以直接在衬底上形成相变温度可调的二氧化钒薄膜而无需退火处理。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，控制沉积温度为300～400℃。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其特征在于，所述靶材为纯度为99.99%以上的非掺杂高纯金属钒。
5.根据权利要求1～4所述的方法，其特征在于，所述氧气纯度为99.99%以上，所述氩气的纯度为99.99%。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底为不含Na的普通玻璃、石英玻璃、蓝宝石或镀制一层SiNx的Si衬底。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，通过改变所述沉积温度使制备的二氧化钒薄膜的相变温度在55～90℃之间连续可调。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，通过改变所述溅射全压使制备的二氧化钒薄膜的相变温度在55～90℃之间连续可调。
9.根据权利要求1～6中任一项所述的方法，其特征在于，通过改变所述氧气分压使制备的二氧化钒薄膜的相变温度在55～90℃之间连续可调。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的方法，其特征在于，控制背底真空为1～5×10-5 Pa，溅射功率为50～100W，溅射时间为100～200分钟。
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