[发明专利]显示装置无效
申请号: | 201310116559.6 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103576375A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 梁广恒;陈家弘;杨旋圣 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示装置,特别是涉及一种包括遮光结构的显示装置。
背景技术
近来环保意识抬头,具有低消耗功率、空间利用效率佳、无辐射、高画质等优越特性的平面显示装置(flat display apparatus)已成为市场主流。常见的平面显示器包括液晶显示器(liquid crystal displays)、电浆显示器(plasma displays)、有机电激发光显示器(electroluminescent displays)等。
以目前最为普及的液晶显示器为例,其主要是由液晶显示面板以及配置于液晶显示面板旁的背光源所组成。液晶显示面板包括主动元件阵列基板、彩色滤光基板以及位于二者之间的液晶层。在现有习知的彩色滤光基板中,多采用金属或树脂做为遮光结构的材料。然而,在高亮度的应用产品中,单纯以金属制作的遮光结构会将背光源所发出的光束反射至主动元件阵列基板的主动元件上,而使主动元件发生光漏电,进而使液晶显示器发生串音(cross talk)、残影(image sticking)等显示异常的状况。另一方面,单纯以树脂制作的遮光结构虽较不易将背光源所发出的光束反射至主动元件上,但单纯以树脂制作的遮光结构与彩色滤光基板的基底间的附着力差,而衍生质量上的问题。
由此可见,上述现有的显示装置在结构与使用上,显然仍存在有不便与缺陷,而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道,但长久以来一直未见适用的设计被发展完成,而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题,此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的显示装置,实属当前重要研发课题之一,亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于,克服现有的显示装置存在的缺陷,而提供一种新型结构的显示装置,所要解决的技术问题是使其不易发生串音、残影等显示异常的状况,非常适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的显示装置,其包括:主动元件阵列基板;对向基板,相对于该主动元件阵列基板,该对向基板包括:第一基底;以及遮光结构,配置于该第一基底上且位于该第一基底与该主动元件阵列基板之间,该遮光结构具有由该第一基底向该主动元件阵列基板依序堆栈的第一介电层、第二介电层、第三介电层、金属层、第四介电层、第五介电层、第六介电层,其中该第一介电层、该第二介电层、该第三介电层的厚度彼此不同,且该第四介电层、该第五介电层、该第六介电层的厚度彼此不同;以及显示介质,配置于该主动元件阵列基板与该对向基板之间。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的显示装置,其中该第一介电层与该第三介电层的折射率相同,而该第二介电层与该第一介电层以及该第三介电层的折射率不同。
前述的显示装置,其中该第一介电层与该第三介电层的折射率小于该第二介电层的折射率。
前述的显示装置,其中该第一介电层与该第三介电层的折射率大于该第二介电层的折射率。
前述的显示装置,其中该第一介电层的厚度为D1,该第二介电层的厚度为D2,该第三介电层的厚度为D3,其中D1介于100埃至500埃,D2介于500埃至1000埃,D3介于800埃至1200埃。
前述的显示装置,其中该第四介电层与该第六介电层的折射率相同,而该第五介电层与该第四介电层以及该第六介电层的折射率不同。
前述的显示装置,其中该第四介电层与该第六介电层的折射率小于该第五介电层的折射率。
前述的显示装置,其中该第四介电层与该第六介电层的折射率大于该第五介电层的折射率。
前述的显示装置,其中该第四介电层的厚度为D4,该第五介电层的厚度为D5,该第六介电层的厚度为D6,其中D6介于100埃至500埃,D5介于500埃至1000埃,D4介于800埃至1200埃。
前述的显示装置,其中该第一介电层、该第二介电层、该第三介电层以该金属层为镜面与该第六介电层、该第五介电层、该第四介电层呈镜面对称。
前述的显示装置,其中该第一介电层与该第六介电层的折射率及厚度相同,该第二介电层与该第五介电层的折射率及厚度相同,而该第三介电层与该第四介电层的折射率及厚度相同。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于元太科技工业股份有限公司,未经元太科技工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310116559.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。