[发明专利]铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法无效

专利信息
申请号: 201310116862.6 申请日: 2013-04-03
公开(公告)号: CN103196850A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 刘运传;王雪蓉;孟祥艳;周燕萍;郑会保;魏莉萍 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第五三研究所
主分类号: G01N21/31 分类号: G01N21/31
代理公司: 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人: 苗峻
地址: 250031 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 铟镓氮 晶片 外延 层中铟 元素 含量 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,包括待测样品溶液制备、络合显色和吸光度测试及数据处理:

(1)待测样品溶液制备:铟镓氮晶片,用稀盐酸和丙酮除油除尘、干燥,准确称量样品,采用碱熔法对铟镓氮样品表面进行刻蚀,用硫酸调节刻蚀液酸度PH值介于2~3之间,定容得到待测样品溶液;

(2)络合显色和吸光度测试:依次向待测样品溶液中加入硫酸、碘化钾溶液、硫代硫酸钠溶液和乙基紫溶液,得到铟—乙基紫蓝紫色络合物,用苯萃取有机相得到待测样品络合物溶液,采用分光光度计测定络合物溶液在619nm±5nm处的吸光度;

(3)数据处理:以络合显色铟标准溶液在619±5nm处的吸光度与铟元素含量关系为基准;

用待测样品络合物溶液在619nm±5nm处的吸光度,与铟标准溶液曲线比对,按下式计算得到样品中铟镓氮晶片外延层中铟元素含量:

wAl=mm0-m1×100]]>

式中:wIn—铟镓氮外延层中铟元素质量分数;

m—分光光度法测量得到的铟元素的质量;

m0—铟镓氮晶片的原始质量;

m1—刻蚀后铟镓氮晶片的质量。

2.根据权利要求1的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述样品刻蚀过程为多次刻蚀。

3.根据权利要求2的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述样品刻蚀单次氢氧化钠用量不大于0.05g/cm2,单次刻蚀时间不大于30s。

4.根据权利要求1或2的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述样品刻蚀程度采用光致发光光谱仪监测,以出现衬底峰为刻蚀终点,扫描范围(350~800)nm之间,测量步长为(1~3)nm。

5.根据权利要求1或2的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述调节酸度用硫酸的浓度介于(3~6.)mol·L-1之间。

6.根据权利要求5的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述调节酸度用氨水的浓度介于(0.1~2)mol·L-1之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器工业集团第五三研究所,未经中国兵器工业集团第五三研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310116862.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top