[发明专利]铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法无效
申请号: | 201310116862.6 | 申请日: | 2013-04-03 |
公开(公告)号: | CN103196850A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 刘运传;王雪蓉;孟祥艳;周燕萍;郑会保;魏莉萍 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第五三研究所 |
主分类号: | G01N21/31 | 分类号: | G01N21/31 |
代理公司: | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人: | 苗峻 |
地址: | 250031 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铟镓氮 晶片 外延 层中铟 元素 含量 测试 方法 | ||
1.一种铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,包括待测样品溶液制备、络合显色和吸光度测试及数据处理:
(1)待测样品溶液制备:铟镓氮晶片,用稀盐酸和丙酮除油除尘、干燥,准确称量样品,采用碱熔法对铟镓氮样品表面进行刻蚀,用硫酸调节刻蚀液酸度PH值介于2~3之间,定容得到待测样品溶液;
(2)络合显色和吸光度测试:依次向待测样品溶液中加入硫酸、碘化钾溶液、硫代硫酸钠溶液和乙基紫溶液,得到铟—乙基紫蓝紫色络合物,用苯萃取有机相得到待测样品络合物溶液,采用分光光度计测定络合物溶液在619nm±5nm处的吸光度;
(3)数据处理:以络合显色铟标准溶液在619±5nm处的吸光度与铟元素含量关系为基准;
用待测样品络合物溶液在619nm±5nm处的吸光度,与铟标准溶液曲线比对,按下式计算得到样品中铟镓氮晶片外延层中铟元素含量:
式中:wIn—铟镓氮外延层中铟元素质量分数;
m—分光光度法测量得到的铟元素的质量;
m0—铟镓氮晶片的原始质量;
m1—刻蚀后铟镓氮晶片的质量。
2.根据权利要求1的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述样品刻蚀过程为多次刻蚀。
3.根据权利要求2的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述样品刻蚀单次氢氧化钠用量不大于0.05g/cm2,单次刻蚀时间不大于30s。
4.根据权利要求1或2的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述样品刻蚀程度采用光致发光光谱仪监测,以出现衬底峰为刻蚀终点,扫描范围(350~800)nm之间,测量步长为(1~3)nm。
5.根据权利要求1或2的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述调节酸度用硫酸的浓度介于(3~6.)mol·L-1之间。
6.根据权利要求5的铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法,所述调节酸度用氨水的浓度介于(0.1~2)mol·L-1之间。
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