[发明专利]平面基板的处理装置

权利要求书

1.一种用于处理平面基板(3)反应器(1)，其具有：

-真空室(11)，其中配置有处理腔(9)，该处理腔(9)中设置第一电极(5)和对电极(7)以用于产生处理待处理的表面的等离子体和形成该处理腔(9)的两对置的壁，

-引入装置和排出装置，用于将气态材料引入处理腔(9)和/或从处理腔(9)排出，

-至少一块基板(3)可通过对电极(7)被接纳在该对电极朝向所述第一电极(5)的正面上，

-该真空室(11)的加料和排料口，

其中，设置用于改变电极（5；7）间相对间距的装置，其中第一个较大的间距是在该至少一块基板装入或卸出处理腔（9）时设定，第二个较小的间距在对该至少一块基板实施处理时设定，

其特征在于，所述电极中的至少一个具有用于涂料和/或净化材料的气体分配器，以及

在真空室（11）的外壳（13）中设置有第一电极（5）的固定结构（33），其中该电极（5）配置在固定结构（33）的凹槽中，以及在进行处理时该对电极（7）覆盖该凹槽，在对电极（7）的边缘区和所述凹槽边缘区之间形成缝隙，该缝隙的大小要使在处理腔（9）中产生的等离子体保持或可保持在处理腔的（9）内部。

2.权利要求1的反应器，其特征在于，提供与对电极（7）相关联的用于接受基板的装置，该装置如此构成，即该至少一块基板（3）至少在进行处理时，以其待处理表面朝下而相对垂直线成1°-30°之间的某一角度α配置。

3.前述权利要求之一的反应器（1），其特征在于，该真空室（11）对应有用于向处理腔(9)装入和卸出至少一块基板(3)的操作装置，其中该操作装置如此构成，即该至少一块基板（3）至少在装入和卸出该处理腔（9）时，以其待处理表面朝下而相对垂直线成0°-30°之间的某一角度α配置。

4.前述权利要求2或3的反应器（1），其特征在于，用于接受基板（3）的装置设计成以载物架或无框式接受一块或多块基板（3）。

5.前述权利要求2-4之一的反应器（1），其特征在于，用于接受基板的装置做成用于改变基板（3）和对电极（7）前表面之间的间距。

6.前述权利要求2-5之一的反应器（1），其特征在于，用于接受基板的装置至少在上边缘区具有至少一个适于一块或多块基板（3）的上保持部件，至少在下边缘区具有至少一个适于一块或多块基板（3）的下保持部件。

7.前述权利要求6的反应器（1），其特征在于，该上保持部件做成适于一块或多块基板（3）的上边缘区的支架。

8.前述权利要求6或7的反应器（1），其特征在于，该下保持部件做成适于一块或多块基板(3)的下边缘的支承部件(115)。

9.前述权利要求6-8之一的反应器(1)，其特征在于，该上和/或下保持部件做成可相对于对电极(7)的所述表面作线性的和/或可旋转的运动。

10.前述权利要求6-9之一的反应器(1)，其特征在于，该保持部件做成用于改变基板(3)和对电极(7)的所述表面之间的间距。

11.权利要求6-11至少之一的反应器(1)，其特征在于，所述保持部件被构造成电浮置的。

12.根据前述权利要求之一的反应器（1），其特征在于，配置在固定结构（33）的凹槽中的电极（5）与真空室壁通过介电材料隔离。

13.根据前述权利要求之一的反应器(1)，其特征在于，该反应器（1）具有用于平面基板的操作装置（300），其具有至少一个适于一块或多块基板的抓臂组件，其中该抓臂组件（200）如此构成，即该基板（3）可平行于其表面移动，并且至少在装入和卸出处理腔时该基板以其待处理表面朝下而相对垂直线成1°-45°之间的某一角度α配置。

14.一种用于在反应器中处理平面基板的方法，所述反应器具有：

-真空室（11），其中配置有处理腔（9），该处理腔中设置第一电极（5）和对电极（7）以用于产生处理待处理的表面的等离子体和形成该处理腔（9）的两对置的壁，

-引入装置和排出装置，用于将气态材料引入处理腔（9）或从处理腔（9）排出，

-其中至少一块基板（3）可通过所述对电极（7）被接纳在对电极朝向所述第一电极（5）的正面上，

-该真空室（11）的加料和排料口，

其中，电极（5；7）之间的相对间距是可调的，以及第一个较大的间距是在该至少一块基板（3）装入处理腔（9）或从处理腔（9）卸出时设定，第二个较小的间距在对该至少一块基板（3）实施处理时设定，其特征在于，

所述电极中的至少一个具有用于涂料和/或净化材料的气体分配器，以及

在真空室（11）的外壳（13）中设置有第一电极（5）的固定结构（33），其中将该电极（5）配置在固定结构（33）的凹槽中，以及在进行处理时该对电极（7）覆盖该凹槽，在对电极（7）的边缘区和所述凹槽边缘区之间形成缝隙，该缝隙的大小要使在处理腔（9）中产生的等离子体保持或可保持在处理腔的（9）内部。