[发明专利]发光二极管控制电路

说明书

技术领域

本发明涉及一种二极管控制电路，尤指一种根据输入电压的电位决定开启晶体管的工作周期以维持固定功率的发光二极管控制电路。

背景技术

请参阅图1，其为一种常用的发光二极管控制电路100的示意图。如图1所示，常用的发光二极管控制电路100包含交流电源110、桥式整流器120、控制电路130、晶体管140、变压器150、第一电容160、光耦合器170、第二电容180、电流感应电阻190、及多个串联的发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN。

交流电源110与桥式整流器120用来在桥式整流器120的输出端DC1产生第一直流电压。控制电路130用来控制晶体管140的开启时间。当控制电路130开启晶体管140时，该第一直流电压会通过晶体管140，并被变压器150转换为位于节点DC2的第二直流电压；该第二直流电压会低于该第一直流电压，以配合低负载的发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN的偏压。第二电容180并联于发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN所形成的一组发光二极管串，以缓冲该第二直流电压，避免发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN因偏压电流过高而被烧坏。电流感测电阻190与第二电容180串联，且流经电流感测电阻190的电流I_sense会用来作为控制电路130是否开启晶体管140的根据。光耦合器170用来完成电流I_sense的回授，以使控制电路130得以确知电流I_sense的强度，并据此控制开启晶体管140的时间。

控制电路130会在电流I_sense低于第一临界电流强度时开启晶体管140，以提高位于节点DC2的该第二直流电压的强度，以连带提高电流I_sense的强度，其中该第一临界电流强度会对应于发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN所能够运作的最低偏压(或略高于该最低偏压，以防止电流I_sense上升的不够快而导致发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN仍然会出现短暂无法操作的时间)；当电流I_sense高于第二临界电流强度时，控制电路130会关闭晶体管140，以降低该第二直流电压的强度，并连带降低电流I_sense的强度，其中该第二临界电流强度会对应于发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN所能够承受的偏压的最高值(或略低于该最高值，以防止电流I_sense降低的速度不够快而仍导致发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN的烧毁)。发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN便在电流I_sense反复升高或降低的过程中得以不承受过高的电压而不被烧毁，却仍然可以持续的在其最低偏压以上被运作。

图1所示的发光二极管控制电路100虽然可以有效确保发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN的运作并防止其不被烧毁，然而由于第一电容160、第二电容180、变压器150、光耦合器170、电流感测电阻190等被动组件的体积代表了发光二极管控制电路100的主要实作体积且面积较大，因此发光二极管控制电路100在制造时也必须被迫加大其整体体积。举例来说，当发光二极管D1、D2、D3、…、D(N-1)、DN的数目越多，第二电容180所需的体积便越大；同样地，当交流电源110的变动范围或极值越大，第一电容160所需的体积也会越大。体积过大的缺点对于发光二极管控制电路100的实作也会造成较大的限制，例如发光二极管控制电路100无法应用于轻量化的电子产品等。

发明内容

本发明公开一种发光二极管控制电路。所述发光二极管控制电路包含交流电源、桥式整流器、控制电路、及至少一发光二极管组。所述桥式整流器的第一端耦接于所述交流电源的第一端，且所述桥式整流器的第二端耦接于所述交流电源的第二端。所述晶体管的输入端耦接于所述桥式整流器的输出端。所述控制电路，包含传感器、控制单元、及开关。所述传感器的第一端耦接于桥式整流器之输出端。所述控制单元的第一输入端耦接于传感器之第二端。所述开关的控制端耦接于所述控制单元之第二端，且所述开关的输入端耦接于所述桥式整流器的输出端。所述至少一发光二极管组包含第一端，耦接于所述开关的输出端。所述发光二极管组包含第二端，耦接于所述控制单元的第二输入端。所述控制单元控制所述开关开启的工作周期的长度，使得位于所述桥式整流器的输出端的驱动电压与电流在所述工作周期的乘积为定值。