[发明专利]半导体工艺腔室

权利要求书

1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室本体，所述腔室本体的壁上开设有进气口、晶圆出入口及排气口，所述腔室本体的进气口的下方设有收容于腔室本体的喷淋头；

阀门，所述阀门设置在腔室本体的晶圆出入口处，用于打开或关闭晶圆出入口；

晶圆卡盘，所述晶圆卡盘收容于腔室本体，所述晶圆卡盘承载晶圆，所述晶圆卡盘的顶部设置有收容于腔室本体的导流板，导流板开设有导流孔，晶圆卡盘在腔室本体内向上运动时，导流板的顶部抵顶腔室本体并环绕着喷淋头；

支撑轴，所述支撑轴的一端与晶圆卡盘的底部相连接，所述支撑轴的另一端从腔室本体的下壁穿出腔室本体；

真空密封传动装置，所述真空密封传动装置与支撑轴的所述另一端相连接；

第一驱动装置，所述第一驱动装置与真空密封传动装置相连接以驱动晶圆卡盘旋转；

连接板，所述连接板与腔室本体的下壁平行设置且与腔室本体之间密封连接，所述连接板与支撑轴的所述另一端之间经由真空密封传动装置相连接；及

第二驱动装置，所述第二驱动装置驱动连接板运动，从而带动晶圆卡盘在腔室本体内向上或向下运动。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体内沿垂直方向设置有数个支杆，晶圆卡盘上开设有与该数个支杆分别对应的数个通孔，取、放晶圆时，支杆从通孔伸出并顶起晶圆。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一驱动装置驱动晶圆卡盘旋转时，晶圆卡盘的底部与支杆的顶部之间间隔一定距离。

4.根据权利要求2所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述第一驱动装置驱动晶圆卡盘旋转时，支杆卡设于晶圆卡盘的通孔内，支杆悬挂在晶圆卡盘的下方并随晶圆卡盘一起旋转。

5.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体与连接板之间通过一可伸缩的卡套密封连接，卡套套设于支撑轴的所述另一端。

6.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体与一固定轴固定连结，固定轴上设置有一对承载板，该对承载板分别位于固定轴相对的两端，一丝杆与该对承载板相连接并与固定轴平行布置，丝杆的底端穿过连接板并与第二驱动装置相连接，在第二驱动装置的驱动下，连接板沿着丝杆上升或下降，从而带动晶圆卡盘在腔室本体内上升或下降。

7.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体的内壁在与晶圆出入口等高的位置开设有环形凹槽。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述环形凹槽的高度与深度均与晶圆出入口的高度与深度一致。

9.根据权利要求1所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述腔室本体内设置有收容于腔室本体的导流板，导流板为环状并环绕着喷淋头，导流板开设有导流孔，晶圆卡盘在腔室本体内向上运动时，导流板的底部抵顶晶圆卡盘的顶部。

10.根据权利要求1或9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导流板上导流孔的孔径一致且分布密度相同。

11.根据权利要求1或9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导流板上导流孔的孔径一致，导流板上距离晶圆出入口或排气口较近的区域的导流孔的分布密度小于距离晶圆出入口或排气口较远的区域的导流孔的分布密度。

12.根据权利要求1或9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导流板上导流孔的分布密度相同，导流板上距离晶圆出入口或排气口较近的区域的导流孔的孔径小于距离晶圆出入口或排气口较远的区域的导流孔的孔径。

13.根据权利要求1或9所述的半导体工艺腔室，其特征在于，所述导流板上距离晶圆出入口或排气口较近的区域的导流孔的总导通面积小于距离晶圆出入口或排气口较远的区域的导流孔的总导通面积。