[发明专利]一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构及其生产方法

权利要求书

1.一种提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构，其特征在于，所述结构自下而上依次为衬底、低温氮化镓缓冲层、高阻隔离层、第一非掺杂氮化镓层、第二非掺杂氮化镓层、N型氮化镓层、多量子阱层、低温p 型氮化镓层、p 型铝镓氮层层、高温p 型氮化镓层。

2.根据权利要求1所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构，其特征在于，所述衬底为底部为0.5～5um的呈半球形。

3.根据权利要求1所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构，其特征在于，所述低温氮化镓缓冲层的厚度为20～40nm、第一非掺杂氮化镓层的厚度为0.5～2μm、N型氮化镓层的厚度为1.2～4.2μm、低温p 型氮化镓层的厚度为10～100nm、p 型铝镓氮层层的厚度为10～50nm、高温p 型氮化镓层的厚度为100～800nm。

4.一种如权利要求1所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，所述生产方法包括如下步骤：

步骤1，在氢气或氮气的条件下，净化处理衬底；

步骤2，在净化后的衬底上生长低温氮化镓缓冲层；

步骤3，生长高阻隔离层；

步骤4，生长第一非掺杂氮化镓层；

步骤5，生长第二非掺杂氮化镓层；

步骤6，生长N型氮化镓层；

步骤7，生长多量子阱层；

步骤8，生长低温p 型氮化镓层；

步骤9，生长p 型铝镓氮层层；

步骤10，生长高温p 型氮化镓层。

5.根据权利要求4所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，步骤1中，所述净化处理具体为：在1000～1200℃清洁处理，时间为5～20min。

6.根据权利要求4所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，步骤2中，所述生长的温度为500～600℃，生长压力为400～760Torr，其中生产过程中，五族元素与三族元素的摩尔比为500：3200。

7.根据权利要求4所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，步骤3中，所述生长的温度为1000～1200℃，所述高阻隔离层3中铝的摩尔组分含量为5～30%。

8.根据权利要求4所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，步骤4中，所述生长压力为100～500Torr，其中生产过程中，五族元素与三族元素的摩尔比为300：3000。

9.根据权利要求4所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，步骤5中，所述生长温度为1020～1100℃，生长压力为100～500Torr之间，其中生产过程中，五族元素与三族元素的摩尔比为1200：2000。

10.根据权利要求4所述的提高氮化镓基发光二极管电子迁移率的结构的生产方法，其特征在于，步骤6中，所述生长温度在1000～1200℃，生长压力为100～600 Torr，其中生产过程中，五族元素与三族元素的摩尔比为300：3000。