[发明专利]低温烧结精细陶瓷用的氧化铝粉体的制备方法有效
申请号: | 201310118513.8 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103145164A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 张恩甫;蒋丹宇;刘新红;粘洪强 | 申请(专利权)人: | 郑州玉发精瓷科技有限公司 |
主分类号: | C01F7/02 | 分类号: | C01F7/02;C04B35/626;C04B35/10 |
代理公司: | 郑州异开专利事务所(普通合伙) 41114 | 代理人: | 王霞 |
地址: | 450041 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低温 烧结 精细 陶瓷 氧化铝 制备 方法 | ||
1.一种低温烧结精细陶瓷用的氧化铝粉体的制备方法,其特征在于:包括下述步骤:
第一步,将工业级γ-氧化铝、工业细晶α-氧化铝和油酸按100︰1-3︰0.5-2的比例入球磨机中,球磨混合并破碎团聚体,获得细颗粒的粉体;
第二步,将硼酸或/和氟化钙或/和氯化铵或/和氟化铝按照上述氧化铝总质量的0.2-5%的比例添加进第一步球磨的细颗粒粉体中搅拌均匀;
第三步,将第二步制得的粉体在850℃-1300℃的温度下保温2-10小时,得到钠杂质低于0.1%、原晶平均粒度小于0.8μm的细晶氧化铝粉体;
第四步,将第三步得到的细晶氧化铝粉体经过气流粉碎,即可得到中值粒径D50小于1μm、适合注射或热压铸成工艺制备精细陶瓷的氧化铝粉体;若将第三步制得的细晶氧化铝粉体砂磨并喷雾造粒后,即可得到中值粒径D50小于1μm、适合干压或等静压工艺制备精细陶瓷的氧化铝粉体。
2.根据权利要求1所述的低温烧结精细陶瓷用的氧化铝粉体的制备方法,其特征在于:所述工业级γ-氧化铝中杂质的总质量分数小于2.0%。
3.根据权利要求1所述的低温烧结精细陶瓷用的氧化铝粉体的制备方法,其特征在于:所述工业细晶α-氧化铝的一次粒径小于0.5μm,中值粒径D50小于2μm。
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