[发明专利]芯片及其测试模式保护电路和方法有效

专利信息
申请号: 201310118633.8 申请日: 2013-04-08
公开(公告)号: CN103227167A 公开(公告)日: 2013-07-31
发明(设计)人: 谭洪贺;刘忠志 申请(专利权)人: 北京昆腾微电子有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100195 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 芯片 及其 测试 模式 保护 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片的测试模式保护电路,其特征在于,包括:

动态信号产生器,设置在所述芯片中,用于生成随机的第一动态信号,根据所述第一动态信号,生成第二动态信号,其中,所述第一动态信号的位数为n,所述第二动态信号的位数为m,m和n为大于或等于2的自然数;

有效金属线,设置在所述芯片的划片槽中,用于将所述第一动态信号从所述芯片中延伸至划片槽,将由所述第一动态信号驱动的第三动态信号从所述划片槽反馈回所述芯片中,其中,所述第三动态信号的位数为m;

动态信号比较器,设置在所述芯片中,用于接收所述第二动态信号和所述第三动态信号,将所述第二动态信号与所述第三动态信号进行比较,生成测试模式控制信号;

控制电路,设置在所述芯片中,用于根据所述测试模式控制信号和外部测试模式使能信号,生成内部测试模式使能信号,使得所述芯片根据所述内部测试模式使能信号确定是否进入测试模式。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:

外部测试使能金属线,设置在所述芯片的划片槽中,用于将外部测试模式使能信号从所述芯片中延伸至划片槽,再从划片槽反馈回所述芯片中;

所述控制电路用于根据所述测试模式控制信号和所述外部测试模式使能金属线反馈回来的外部测试模式使能信号,生成所述内部测试模式使能信号。

3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述有效金属线将所述第一动态信号的部分信号从所述芯片中延伸至所述划片槽。

4.根据权利要求1-3任一所述的电路,其特征在于,所述第一动态信号中的1位信号驱动所述第三动态信号中的1位以下信号,m小于或等于n。

5.根据权利要求1-3任一所述的电路,其特征在于,所述第一动态信号中的1位信号驱动所述第三动态信号中的1位以上信号,并且所述第三动态信号由所述第一动态信号中的全部或部分信号驱动,m小于、大于或等于n。

6.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述外部测试模式使能信号的位数为两位以上,所述外部测试使能金属线的数量为两根以上。

7.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:

报警信号发生电路,设置在所述芯片中,用于根据所述测试模式控制信号和所述外部测试模式使能信号,生成报警信号。

8.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述有效金属线设置在不同的金属层。

9.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,还包括:

无效金属线,设置在所述芯片的划片槽中,所述无效金属线上未施加所述第一动态信号或所述第三动态信号。

10.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述动态信号发生器为计数器、线性反馈移位寄存器、真随机数发生器、伪随机数发生器,或者为计数器、线性反馈移位寄存器、真随机数发生器、伪随机数发生器的任意组合。

11.一种芯片的测试模式保护方法,其特征在于,包括:

在所述芯片中,生成随机的第一动态信号,根据所述第一动态信号,生成第二动态信号,其中,所述第一动态信号的位数为n,所述第二动态信号的位数为m,m和n为大于或等于2的自然数;

通过在所述芯片的划片槽中设置有效金属线,将所述第一动态信号从所述芯片中延伸至划片槽,将由所述第一动态信号驱动的第三动态信号从所述划片槽反馈回所述芯片中,其中,所述第三动态信号的位数为m;

在所述芯片中,将所述第二动态信号与所述第三动态信号进行比较,生成测试模式控制信号;

在所述芯片中,根据所述测试模式控制信号和外部测试模式使能信号,生成内部测试模式使能信号,使得所述芯片根据所述内部测试模式使能信号确定是否进入测试模式。

12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,还包括:

通过在所述芯片的划片槽中设置外部测试使能金属线,将外部测试模式使能信号从所述芯片中延伸至划片槽,再从划片槽反馈回所述芯片中;

所述根据所述测试模式控制信号和所述外部测试模式使能信号,生成内部测试模式使能信号具体为:

根据所述测试模式控制信号和所述外部测试模式使能金属线反馈回来的外部测试模式使能信号,生成内部测试模式使能信号。

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