[发明专利]接合导热基板与金属层的方法无效
申请号: | 201310118784.3 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103715099A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 陈建铭 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 接合 导热 金属 方法 | ||
1.一种接合导热基板与金属层的方法,包括:
提供一导热基板、一第一金属层及一前置层,其中该前置层位于该导热基板与该第一金属层之间,且该前置层为一第二金属层或一金属氧化物层;以及
在一无氧环境下,对该前置层进行一加热制作工艺,以将该前置层转换成一接合层来接合该导热基板与该第一金属层,其中该加热制作工艺的温度小于或等于300°C。
2.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中在该前置层形成于该导热基板或该第一金属层上之后,叠合该导热基板与该第一金属层,以使该前置层位于该导热基板与该第一金属层之间。
3.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该第二金属层包括银层或铜层。
4.如权利要求3所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该第二金属层的形成方法包括电镀法。
5.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该第二金属层为含有多个金属粒子的胶层。
6.如权利要求5所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该些金属粒子的材质包括银、铜或其组合。
7.如权利要求5所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该些金属粒子的粒径范围介于5纳米至50纳米。
8.如权利要求5所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该第二金属层的形成方法包括涂布法。
9.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该金属氧化物层包括氧化银层或氧化铜层。
10.如权利要求9所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该金属氧化物层的形成方法包括无电镀法。
11.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该金属氧化物层为一含有多个金属氧化物粒子的胶层。
12.如权利要求11所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该些金属氧化物粒子的材质包括氧化银或氧化铜。
13.如权利要求11所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该金属氧化物层的形成方法包括涂布法。
14.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该导热基板的材料包括金属或合金。
15.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该导热基板包括具有一金属表面的一陶瓷基板,且该第一金属层通过该接合层与该金属表面接合。
16.如权利要求1所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该无氧环境包括一惰性气体或一还原气体的环境。
17.如权利要求16所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该惰性气体包括氮气或氩气。
18.如权利要求16所述的接合导热基板与金属层的方法,其中该还原气体包括氢气或含有氢气的气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭德科技股份有限公司,未经旭德科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310118784.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种骨架牢固的汽车油封
- 下一篇:影音娱乐系统及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造