[发明专利]传感器电路和对微机电系统传感器进行测试的方法有效

专利信息
申请号: 201310118845.6 申请日: 2013-04-08
公开(公告)号: CN103364590A 公开(公告)日: 2013-10-23
发明(设计)人: 乔纳森·亚当·克莱克斯;约恩·奥普里斯;贾斯廷·森 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125;G01P21/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 传感器 电路 微机 系统 进行 测试 方法
【权利要求书】:

1.一种传感器电路,包括:

微机电系统(MEMS)传感器,包括第一电容元件和第二电容元件;以及

IC,包括:

开关网络电路,配置成将所述MEMS传感器的所述第一电容元件与所述IC的第一输入端电解耦,并且将所述第二电容元件电耦合到所述IC的第二输入端;以及

电容测量电路,配置成在向被解耦的第一电容元件施加第一电信号期间测量所述MEMS传感器的所述第二电容元件的电容。

2.如权利要求1所述的传感器电路,

其中,所述开关网络配置成将所述MEMS传感器的所述第二电容元件与所述IC电解耦,并且将所述第一电容元件电耦合到所述IC;并且

其中,所述电容测量电路配置成在向被解耦的第二电容元件施加第二电信号期间测量所述MEMS传感器的所述第一电容元件的电容。

3.如权利要求1所述的传感器电路,包括测试电路,该测试电路配置成:

向所述被解耦的第一电容元件施加第一方波信号;

向所述第一电容元件和所述第二电容元件共用的外部电路节点施加第二方波信号,其中所述第二方波信号的相位与所述第一方波信号的相位相反,并且

其中所述电容测量电路配置成在施加所述第一方波信号和所述第二方波信号期间测量所述第二电容元件的电容。

4.如权利要求1所述的传感器电路,包括测试电路,该测试电路配置成:

向所述被解耦的第一电容元件施加第一方波信号;以及

向由所述第一电容元件和所述第二电容元件共用的外部节点施加第二方波信号,

其中所述第二方波信号与所述第一方波信号同相,并且

其中所述电容测量电路配置成在施加所述第一方波信号和所述第二方波信号期间测量所述电容。

5.如权利要求1所述的传感器电路,其中,所述电容测量电路包括差分输入模数转换器(ADC)电路,该ADC电路配置成产生代表所述第二电容元件的电容的数字值。

6.如权利要求5所述的传感器电路,

其中,所述IC包括自测试电容器对,

其中,所述开关网络电路配置成:

将所述MEMS传感器的所述第二电容元件电耦合到所述ADC电路的第一输入端;以及

将所述自测试电容器对配置为所述IC内部的电容-电压传感器,并且将所述自测试电容器对电耦合到所述ADC电路的第二输入端。

7.如权利要求5所述的传感器电路,

其中,所述IC包括配置成消除所述ADC电路的任何共模偏移的至少一个补偿电容器;

其中,所述开关网络电路配置成在测量所述第二电容元件期间将所述第二电容元件和所述补偿电容器电耦合到所述差分输入ADC电路的所述第一输入端。

8.如权利要求5所述的传感器电路,其中,所述ADC电路为差分输入∑-ΔADC电路。

9.如权利要求1所述的传感器电路,

其中,所述开关网络电路配置成在测试模式和正常模式下工作,

其中,在所述测试模式下,所述开关网络配置成将所述第一电容元件和所述第二电容元件中的至少一个与所述IC电解耦,

其中,在所述正常模式下,所述开关网络电路配置成将所述MEMS传感器的所述第一电容元件和所述第二电容元件耦合为第一电容元件对,并且

其中,所述第一电容元件对配置成响应于第一方向上的加速度而改变电容。

10.如权利要求1所述的传感器电路,其中,所述IC包括电容-电压传感器电路。

11.如权利要求1所述的传感器电路,其中,所述MEMS传感器包括加速计。

12.一种对微机电系统(MEMS)传感器进行测试的方法,该方法包括:

将所述MEMS传感器的第一电容元件与IC电解耦;

向该被解耦的电容元件施加第一电信号;以及

在施加所述第一电信号期间测量所述MEMS传感器的第二电容元件的电容。

13.如权利要求12所述的方法,包括:

将所述MEMS传感器的所述第二电容元件与所述IC电解耦;

向所述第二电容元件施加第二电信号;以及

在施加所述第二电信号期间测量所述MEMS传感器的所述第一电容元件的电容。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司,未经快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310118845.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top