[发明专利]一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构有效
申请号: | 201310119249.X | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103199184A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 赵志伟 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/52 | 分类号: | H01L33/52;H01L33/60 |
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地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 提高 垂直 发光二极管 芯片 亮度 封装 结构 | ||
1.一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,至少包括一支架系统、一胶杯与支架系统之外围相连接、一含有吸光基板LED芯片置于支架系统之上及封装胶分布于LED芯片之外围,其特征在于:基板侧面与封装胶接口处形成气泡结构。
2.根据权利要求1所述的一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,其特征在于:所述封装结构是利用封装胶、气泡以及吸光基板材料折射率差异形成反射层,减少或避免基板吸光。
3.根据权利要求1所述的一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,其特征在于:所述气泡结构与吸光基板侧面之间镀覆有非亲水性材质。
4.根据权利要求1所述的一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,其特征在于:所述吸光基板具有垂直侧面。
5.根据权利要求1所述的一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,其特征在于:所述吸光基板具有靠近所述吸光基板LED芯片的一侧上与水平平面成倾斜角并从上向下变窄的侧面。
6.根据权利要求1或5所述的一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,其特征在于:所述吸光基板具有靠近所述吸光基板LED芯片的一侧上与水平平面成倾斜角并从上向下变窄的第一侧面及远离所述吸光基板LED芯片的一侧上与水平平面成垂直的第二侧面。
7.根据权利要求5或6所述的一种提高垂直发光二极管芯片亮度的封装结构,其特征在于:所述倾斜角的角度范围为5°~85°。
8.一种照明系统,其设有发光二极管芯片的封装结构,所述封装结构至少包括:一支架系统、一胶杯与支架系统之外围相连接、一含有吸光基板LED芯片置于支架系统之上及封装胶分布于吸光基板LED芯片之外围,所述吸光基板的侧面与封装胶接口处形成气泡结构。
9.根据权利要求8所述的一种照明系统,其特征在于:所述封装结构为LED灯珠结构。
10.根据权利要求8所述的一种照明系统,其特征在于:所述吸光基板具有靠近所述吸光基板LED芯片的一侧上与水平平面成倾斜角并从上向下变窄的侧面。
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