[发明专利]发光元件和显示器件有效
申请号: | 201310119691.2 | 申请日: | 2005-05-20 |
公开(公告)号: | CN103227293B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 池田寿雄;大原宏树;细羽诚;坂田淳一郎;伊藤俊一 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;G09G3/3291 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 叶晓勇,王忠忠 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 显示 器件 | ||
1. 一种包括发光元件的发光器件,所述发光元件包括:
在第一衬底上的像素电极;
在所述像素电极上的电致发光层,所述电致发光层包括有机化合物;
在所述电致发光层上的电极;
在所述电极上的第一层,所述第一层包括所述有机化合物;以及
在所述第一层上的第二衬底,
其中,所述第一层与所述第二衬底间的空间用填充气体来填充。
2. 一种包括发光元件的发光器件,所述发光元件包括:
在第一衬底上的像素电极;
在所述像素电极上的电致发光层,所述电致发光层包括第一有机化合物;
在所述电致发光层上的电极;
在所述电极上的第一层,所述第一层包括第二有机化合物;以及
在所述第一层上的第二衬底,
其中,所述第二有机化合物选自4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、浴铜灵、4,4',4-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺与三(8-喹啉)铝,并且
其中,所述第一层与所述第二衬底间的空间用填充气体来填充。
3. 一种包括发光元件的发光器件,所述发光元件包括:
在衬底上的像素电极;
在所述像素电极上的电致发光层,所述电致发光层包括有机化合物;
在所述电致发光层上的电极;以及
在所述电极上的第一层,所述第一层包括有机化合物,
其中,所述有机化合物是具有空穴传输属性或者空穴注入属性的芳香胺化合物。
4. 一种包括发光元件的发光器件,所述发光元件包括:
在衬底上的像素电极;
在所述像素电极上的电致发光层,所述电致发光层包括第一有机化合物;
在所述电致发光层上的电极;以及
在所述电极上的第一层,所述第一层包括第二有机化合物,
其中,所述第二有机化合物选自4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯、浴铜灵与4,4',4-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺。
5. 如权利要求1-4中任一项所述的发光器件,其中所述像素电极包括具有反射率的金属材料。
6. 如权利要求1-4中任一项所述的发光器件,还包括在所述像素电极与所述第一层之间的第二层,
其中,所述第二层包括选自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。
7. 如权利要求1-4中任一项所述的发光器件,还包括在所述像素电极与所述第一层之间的第二层,
其中,所述第二层具有包括第三层与第四层的叠层结构,
其中,所述第三层与所述第四层中的每一层包括选自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。
8. 如权利要求1-4中任一项所述的发光器件,还包括在所述像素电极与所述第一层之间的第二层,
其中,所述第二层具有包括第三层、第四层与第五层的叠层结构,
其中,所述第三层、所述第四层与所述第五层中的每一层包括选自氮化硅、氧化硅、氧氮化硅和氮氧化硅的材料。
9. 如权利要求1所述的发光器件,其中所述有机化合物是具有空穴传输属性或者空穴注入属性的芳香胺化合物。
10. 如权利要求1-4中任一项所述的发光器件,其中所述第一层的折射率小于所述电极的折射率。
11. 如权利要求6所述的发光器件,
其中,所述第二层的折射率小于所述电极的折射率,并且
其中,所述第一层的折射率小于所述第二层的折射率。
12. 如权利要求7所述的发光器件,
其中,所述第二层的折射率小于所述电极的折射率,并且
其中,所述第一层的折射率小于所述第二层的折射率。
13. 如权利要求8所述的发光器件,
其中,所述第二层的折射率小于所述电极的折射率,并且
其中,所述第一层的折射率小于所述第二层的折射率。
14. 一种电子设备,包括如权利要求1-4中任一项所述的发光器件。
15. 如权利要求14所述的电子设备,还包括像素区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择