[发明专利]用于背照式图像传感器的抗反射层

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

金属氧化物抗反射叠层，位于所述半导体衬底的所述第一表面的上方；

互连结构，位于所述半导体衬底的所述第二表面上；

多个光电二极管，在所述半导体衬底中介于所述金属氧化物抗反射叠层和所述互连结构之间；以及

透镜，在所述金属氧化物抗反射叠层的上方与所述多个光电二极管中的一个或多个光电二极管相对应；

其中，所述金属氧化物抗反射叠层包括至少一对金属氧化物，所述至少一对金属氧化物包括高能带隙金属氧化物和高折射率金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

位于所述多个光电二极管和所述金属氧化物抗反射叠层之间的p型杂质层。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

位于所述p型杂质层和所述金属氧化物抗反射叠层之间的缓冲氧化物层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：

位于所述金属氧化物抗反射叠层上方的缓冲层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述至少一对金属氧化物中的所述高能带隙金属氧化物紧邻所述半导体衬底的所述第一表面。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述高能带隙金属氧化物的厚度介于约1埃和20埃之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述高能带隙金属氧化物选自由氧化铝、氧化镁、氧化钙、氧化铪、氧化锆和氧化钇所组成的组。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述高折射率金属氧化物选自由氧化锆、氧化铪、氧化钽、氧化锶、氧化钛、氧化镧和氧化钡所组成的组。

9.一种方法，包括：

提供具有第一表面和第二表面的衬底，所述第一表面与所述第二表面相对；

在所述衬底的所述第二表面中形成光感测区；以及

在所述衬底的所述第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。

10.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

金属氧化物抗反射叠层，位于所述半导体衬底的所述第一表面的上方；

透镜，在所述金属氧化物抗反射叠层的上方与所述多个光电二极管中的一个或多个光电二极管相对应；

互连结构，位于所述半导体衬底的所述第二表面上；以及

多个光电二极管，在所述半导体衬底中介于所述金属氧化物抗反射叠层和所述互连结构之间；

其中，所述金属氧化物抗反射叠层包括至少一个金属氧化物复合层，每个金属氧化物复合层都包括具有不同的能带隙和折射率特性的两个或更多个金属氧化层，并且，

所述两个或更多个金属氧化层是无定形的。