[发明专利]高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法无效
申请号: | 201310120025.0 | 申请日: | 2013-04-08 |
公开(公告)号: | CN103224254A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 邹勃;杨新一 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | C01G45/00 | 分类号: | C01G45/00;B82Y30/00 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 合成 mnp mns 纳米 材料 方法 | ||
1.一种高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法,以岩盐矿MnS纳米立方块为初始原料,在金刚石对顶砧中对初始原料加压至11.6~31GPa,制得MnP相的MnS纳米立方块。
2.根据权利要求1所述的高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法,其特征是,最后将金刚石对顶砧泄压至常压,得到MnP相的MnS纳米立方块。
3.一种高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法,以纤维锌矿MnS纳米棒为初始原料,在金刚石对顶砧中对初始原料加压至24.3~33GPa,制得MnP相的MnS纳米棒。
4.根据权利要求3所述的高压合成MnP相的MnS纳米晶材料的方法,其特征是,最后将金刚石对顶砧泄压至常压,得到MnP相的MnS纳米棒。
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