[发明专利]具有硅通孔内连线的半导体封装有效
| 申请号： | 201310120374.2 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103378034A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨明宗;黄裕华;黄伟哲 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人： | 于淼;杨颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 硅通孔内 连线 半导体 封装 | ||
1.一种具有硅通孔内连线的半导体封装，包括：
半导体基板，其具有前侧和后侧；
接触孔插塞阵列，设置于所述半导体基板的所述前侧上；
隔绝结构，设置于所述半导体基板中，且位于所述接触孔插塞阵列下方；以及
硅通孔内连线，穿过所述半导体基板，且与所述接触孔插塞阵列和所述隔绝结构重叠。
2.如权利要求1所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述硅通孔内连线位于所述接触孔插塞阵列下方。
3.如权利要求1所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述隔绝结构的边界围绕所述硅通孔内连线。
4.如权利要求1所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述隔绝结构为单一浅沟槽隔绝物，且所述接触孔插塞阵列位于所述单一浅沟槽隔绝物上。
5.如权利要求4所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，更包括：
闸极结构，设置于所述半导体基板的所述前侧上，且位于所述接触孔插塞阵列和所述单一浅沟槽隔绝物之间；以及
硅化物层，形成于所述闸极结构上，其中所述接触孔插塞阵列接触所述硅化物层。
6.如权利要求5所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述硅通孔内连线形成穿过所述单一浅沟槽隔绝物，且内嵌于所述闸极结构的部分中。
7.如权利要求5所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述闸极结构由多晶材料或金属材料形成，且所述闸极结构的介电常数大于10。
8.如权利要求5所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述闸极结构的边界围绕所述硅通孔内连线。
9.如权利要求1所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述隔绝结构包括多个浅沟槽隔绝物，且所述接触孔插塞阵列包括多个接触孔插塞，其中所述多个浅沟槽隔绝物避免与所述多个接触孔插塞重叠。
10.如权利要求9所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述硅通孔内连线接触所述多个接触孔插塞。
11.如权利要求9所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述多个接触孔插塞的多个底部对齐所述半导体基板的所述前侧。
12.如权利要求9所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，更包括：
多个闸极结构，设置于所述半导体基板的所述前侧上，且分别与所述多个接触孔插塞重叠；以及
多个硅化物层，分别形成于所述多个闸极结构上，其中所述多个接触孔插塞分别接触所述多个硅化物层。
13.如权利要求12所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述硅通孔内连线接触所述多个闸极结构。
14.如权利要求12所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述多个浅沟槽隔绝物避免与所述多个闸极结构重叠。
15.如权利要求12所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述硅通孔内连线内嵌于部分所述多个闸极结构中。
16.一种具有硅通孔内连线的半导体封装，包括：
半导体基板，其具有前侧和后侧；
接触孔插塞阵列，设置于所述半导体基板的所述前侧上；
硅通孔内连线，设置于所述半导体基板中，且位于所述接触孔插塞阵列下方；以及
隔绝结构，设置于所述半导体基板中，其中在俯视图中，所述隔绝结构位于所述接触孔插塞阵列的两个接触孔插塞之间。
17.如权利要求16所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述隔绝结构围绕所述接触孔插塞阵列和所述硅通孔内连线。
18.如权利要求16所述的具有硅通孔内连线的半导体封装，其特征在于，所述隔绝结构为单一浅沟槽隔绝物，且所述接触孔插塞阵列位于所述单一浅沟槽隔绝物上。
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