[发明专利]锑化铟红外探测器脱水处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种锑化铟红外探测器脱水处理方法。

背景技术

锑化铟是一种重要的中波红外探测器件材料，经过几十年的发展，芯片结构已由单元、多元发展至一维线列和二维面阵焦平面阵列。目前，对中波高分辨率锑化铟红外焦平面探测器的研究已转入应用阶段，各种规格的锑化铟红外焦平面探测器已大量装备于各种系统中。

在基于锑化铟材料的红外探测器制备工艺中，钝化前的芯片处理是一个非常重要的工艺步骤，直接对探测器芯片的性能产生影响。目前对锑化铟探测器材料主要是直接采用臭氧氧化或直接PECVD钝化的工艺步骤，但是这样制备的锑化铟红外探测器的一致性差。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，用以解决现有技术中制备的锑化铟红外探测器的一致性差的问题。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，包括：

对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理；

将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理；

将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内，进行干燥处理和臭氧氧化处理。

优选地，进行清洗处理具体包括：

使用电阻率大于12MΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲洗时间为30-60分钟。

优选地，进行脱水处理具体包括：

将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时间为1-3分钟，并重复多次。

优选地，在干燥处理之前进一步包括：

使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑化铟红外探测器的外围。

优选地，所述干燥处理的温度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度，所述臭氧氧化时间为20-40分钟。

优选地，所述干燥处理的温度为80-100摄氏度。

优选地，所述臭氧氧化处理的步骤具体包括：

打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯，使所述锑化铟红外探测器在加热和臭氧条件下进行氧化。

优选地，所述臭氧氧化的温度为80-100度。

优选地，所述臭氧氧化时间为30分钟。

优选地，所述臭氧氧化处理的步骤之后，进一步包括：

将臭氧氧化后的所述锑化铟红外探测器进行钝化处理。

本发明有益效果如下：

本发明提供了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，通过对锑化铟红外探测器依次进行清洗、脱水处理，从而彻底去除锑化铟红外探测器上面存留的杂质和水，避免了锑化铟红外探测器性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，从而基本稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性，而干燥处理和臭氧氧化处理则使脱水处理的效果在高湿度的净化间环境中得到保持，避免了水汽对芯片的二次污染。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本发明实施例的锑化铟红外探测器脱水处理方法。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本发明的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。

实施例1

本发明实施例提供了一种锑化铟红外探测器脱水处理方法，参见图1，该方法包括：

S101、将台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理清洗处理；

其中，所述清洗处理清洗处理具体包括：

使用电阻率大于12MΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗，冲洗时间为30-60分钟，从而彻底去除锑化铟红外探测器上残存的杂质。

S102、将清洗处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理，时间为1-3分钟，并重复三次，充分的将残存在所述锑化铟红外探测器上的水进行去除，从而有效地控制了芯片性能随净化间湿度变化而产生的大幅波动，稳定了芯片性能批次内和批次间的一致性。

S103、使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑化铟红外探测器的外围；