[发明专利]四分之一节距图案的形成方法

权利要求书

1.一种四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，包括：

依序形成下光阻层及上光阻层；

将该上光阻层定义为多个第一图案；

在该下光阻层及该些第一图案上形成包含反应性物质或可产生反应性物质的附着层，该反应性物质可使该下光阻层及该上光阻层的材料可溶解在显影液中；

使该反应性物质扩散进入各该第一图案的一部分及该些第一图案之间的该下光阻层的多个部分中，而与各该第一图案的该部分及该些第一图案之间的该下光阻层的该些部分发生反应；

移除该附着层；

进行显影步骤以移除该些第一图案的该些部分及该下光阻层的该些部分，以将该下光阻层图案化为多个第二图案；

在剩余的该些第一图案的侧壁上及该些第二图案的侧壁上形成多个间隙壁；以及

移除剩余的该些第一图案，并使用该些第二图案上的该些间隙壁作为罩幕来移除该些第二图案的多个部分。

2.根据权利要求1所述的四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，该上光阻层具有光感应基团而具有光感应性，该下光阻层不具有光感应基团而不具有光感应性。

3.根据权利要求1所述的四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，利用烘烤步骤使该反应性物质扩散。

4.根据权利要求1所述的四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，该附着层包含酸作为该反应性物质。

5.根据权利要求1所述的四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，该附着层包含热酸产生剂，该热酸产生剂产生酸作为该反应性物质，且利用烘烤步骤产生该酸并使该酸扩散。

6.根据权利要求1所述的四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，形成该些间隙壁的方法包括：

在剩余的该些第一图案及该些第二图案上形成保形的间隙壁材料层；以及

对该间隙壁材料层进行非等向性蚀刻。

7.根据权利要求1所述的四分之一节距图案的形成方法，其特征在于，该些间隙壁的材料包括SiO₂。

8.一种罩幕层，其特征在于，该罩幕层配置在基板上，该基板包括多个四分之一节距图案，该些四分之一节距图案的节距相等于微影解析度极限节距的四分之一。

9.根据权利要求8所述的罩幕层，其特征在于，

该些四分之一节距图案包括多个第一图案及多个第二图案，该些第一图案布置为多个第一图案对，且该些第二图案布置为多个第二图案对，

该些第一图案各自包括第一材料，

该些第二图案各自包括不在该第一图案中的该第一材料以及第二材料，其中该第一材料配置在该第二材料上，并且

该些第一图案对与该些第二图案对交替布置。

10.根据权利要求9所述的罩幕层，其特征在于，该第二材料包括光阻材料。

11.根据权利要求9所述的罩幕层，其特征在于，该第一材料包括SiO₂。