[发明专利]一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法

权利要求书

1.一种双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于包括以下步骤：

a、首先纳米图形化LED基片的p型GaN层；

b、然后在上述被纳米图形化后的p型GaN层制作透明电极，再纳米图形化透明电极；

c、最后在上述透明电极上进行常规的LED加电极工艺。

2.根据权利要求1所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：该方法是要求将LED的P型GaN层和透明电极层同时纳米图形化的。

3.根据权利要求2所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：步骤a中，可以通过纳米压印、光刻或胶体模板法制备刻蚀掩模板，然后刻蚀p型GaN所得到纳米图形。

4.根据权利要求3所述的双层纳米图形化LED的其中一种制备工艺方法，其特征在于：利用胶体模板法制备模板，首先在LED基片的p型GaN层制备单层的单分散微球；所述单分散微球可以是单分散的聚苯乙烯微球、单分散的二氧化硅微球、聚甲基丙烯酸甲酯微球，也可以是单分散的金属微球如单分散的金纳米微球、银纳米微球，所述单分散的微球直径在200nm-1um之间。

5.根据权利要求3所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：

步骤a中，刻蚀出周期性的锥形的纳米柱阵列，首先是刻蚀微球，控制微球的尺寸，而LED表面并未被刻蚀；然后以此微球为模板，来获得不同的占空比，然后再利用干刻法来刻蚀LED样品，将LED基片的p型GaN层刻蚀出周期性的锥形的纳米柱阵列。

6.根据权利要求5所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：利用干刻法进行刻蚀，刻蚀时使用的气体选自BCl₃、Cl₂、Ar之一或者几种的组合。

7.根据权利要求1所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：步骤b中，沉积300-400nm纳米的透明电极，透明电极可以是ITO或者氧化锌；比如沉积400nm的ITO作为透明电极。

8.根据权利要求3所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：用胶体模板法制备刻蚀掩模板，步骤b中使用权利要求3中所述的单分散的微球，在ITO透明电极上制备单层微球。

9.根据权利要求7所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：在p型GaN和ITO表面刻蚀的纳米柱可以是锥形的或圆柱形的，锥形的纳米柱效果优于圆柱形的纳米柱。

10.根据权利要求1所述的双层纳米图形化LED的制备工艺方法，其特征在于：在p型GaN和透明电极的纳米图形化可以是周期性的纳米柱也可以是纳米洞，或者是其他的周期性结构，或者是无序的纳米结构；在p型GaN层与透明电极层的纳米结构可以是相同的也可以是不同的。