[发明专利]基于半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种采用半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件，由衬底、金属阳极、有机功能层、阴极和光取出层组成，有机功能层中依次包括空穴传输层、电子阻挡层、发光层和电子传输层；其特征在于：阴极为金属/半导体/金属的复合层结构，其中金属材料为金或银，半导体材料为锗。

2.如权利要求1所述的一种采用半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件，其特征在于：金属层的厚度为5～15nm，半导体层的厚度为5～15nm。

3.如权利要求1所述的一种采用半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件，其特征在于：在金属阳极和空穴传输层间增加阳极修饰层，在电子传输层和阴极之间增加阴极修饰层。

4.权利要求3所述的一种采用半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件的制备方法，其步骤如下：

1)将衬底依次用甲苯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗，然后烘干；

2)将处理好的衬底置于多源有机分子气相沉积系统中，在1×10^-4Pa～8×10^-4Pa条件下利用阳极掩模版在衬底上生长金属阳极，蒸发速率为0.1～0.5nm/s；

3)维持上述真空条件不变，在金属阳极上利用有机掩膜板依次蒸镀阳极修饰层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极修饰层，阳极修饰层、空穴传输层、发光层的生长速率为0.1～0.2nm/s，电子传输层、阴极修饰层的蒸发速率为0.01～0.02nm/s；

4)维持上述真空条件不变，利用阴极掩膜板在阴极修饰层之上继续依次蒸镀金属/半导体/金属的新型结构作为复合阴极，第一金属层的蒸发速率为0.1～0.5nm/s；半导体的蒸发速度为0.01～0.05nm/s；第一金属层的蒸发速率为0.02～0.05nm/s；

5)维持上述真空条件不变，在复合阴极之上继续蒸镀光取出层，其蒸镀速度为0.1～0.5nm/s，从而得到采用半透明复合阴极的顶发射有机电致发光器件。